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GaSb/InGaAsSb量子阱的带间跃迁设计

刘盛 , 张永刚

功能材料与器件学报 doi:10.3969/j.issn.1007-4252.2008.03.010

采用一维方势阱模型对Gash/InxGa1-xAs0.02Sb0.98m量子阱激光器结构的子带跃迁波长与阱宽间的关系进行了计算,并采用能量平衡模型计算了此应变材料体系在生长时的临界厚度.结果表明GaSb/InGaAsSb是制作2～3μm中红外波段量子阱激光器的良好材料体系.在结构设计和材料生长中采用合适的材料组分及阱宽并对应变总量进行控制是十分重要的.

关键词: 量子阱结构 , 半导体激光器 , 带间跃迁