于灵敏
,
范新会
,
刘建刚
,
刘春霞
,
严文
材料导报
主要介绍用物理热蒸发法制备硅纳米线阵列,借助扫描电子显微镜(SEM)、X射线能谱分析仪(EDX)和透射电子显微镜(TEM)观察硅纳米线的形貌,分析其化学成分及晶体结构,研究非晶硅纳米线在外加电场下的生长过程,讨论外加电场对非晶硅纳米线定向排列生长的影响以及铜粉在其中起的作用.
关键词:
硅纳米线
,
定向排列
,
外加电场
,
带电团簇模型
于灵敏
,
范新会
,
刘春霞
,
严文
,
刘建刚
材料科学与工程学报
doi:10.3969/j.issn.1673-2812.2004.03.027
在外加电场的条件下利用物理热蒸发法制备硫化镉晶须,借助扫描电子显微镜、X射线能谱分析仪和透射电子显微镜以及X射线衍射仪,研究外加电场对硫化镉晶须生长的影响.结果表明硫化镉晶须的生长应遵循氧化物辅助生长机制;无论外加电场存在与否,沉积温度越高,硫化镉晶须越粗越长,但是沉积温度对硫化镉晶须的形状没有影响;在有电场和无电场条件下的硫化镉晶须的形貌有很大差异,外加电场大大促进了硫化镉晶须沿一维方向上的生长,这可以由带电团簇模型来解释.
关键词:
硫化镉晶须
,
电场
,
带电团簇模型
