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CdZnTe材料(111)B和(211)B面上位错腐蚀坑密度的差异

顾惠明 , 杨建荣 , 陈新强 , 何力

人工晶体学报 doi:10.3969/j.issn.1000-985X.1999.02.012

用Everson腐蚀剂对CdZnTe晶体(111)B和(211)B面上的位错进行了腐蚀和观察,发现(111)B面上的腐蚀坑密度(EPD)值明显高于(211)B面上的EPD值,(111)B面上的EPD值与双晶衍射半峰宽有明显的依赖关系,(111)B面上的FWHM值随EPD的增加而增加.而(211)B面上的EPD则与材料的双晶衍射半峰宽无关.研究结果表明,用Everson腐蚀剂得到的EPD参数依赖于材料的晶体取向,在两种常用的晶体学取向中,(111)B面上得到的EPD能较为正确的反映CdZnTe材料中的位错密度.

关键词: CdZnTe , 位错 , 腐蚀法 , 布里奇曼法 , 衬底材料

改进布里奇曼法生长HgCdTe晶体的生长速度对固液界面形态的影响

王跃 , 李全保 , 韩庆林 , 马庆华 , 宋炳文 , 介万奇 , 周尧和

人工晶体学报 doi:10.3969/j.issn.1000-985X.2000.01.010

为选择合理的晶体生长速度,在用改进Bridgman法生长直径为φ19mm的HgCdTe(x=0.21)晶体过程中,对正在生长的单晶体及熔体进行淬火,以观察其固液界面形态.初步的实验结果表明:在2mm/d及9mm/d的两种生长速度条件下,石英安瓶中的固液界面形态均为凹形抛物面,但其凹陷深度分别为10mm和14mm.较低的晶体生长速度条件下,凹陷深度较小,固液界面形态较平.由实验和讨论得知,宜选择较低的晶体生长速度用改进Bridgman法生长HgCdTe晶体.

关键词: 布里奇曼法 , HgCdTe晶体 , 晶体生长速度 , 固液界面形态 , 凹陷深度

新型激光上转换晶体Ba2ErCl7的原料合成和晶体生长

周广勇 , 韩建儒 , 张树君 , 程振翔 , 陈焕矗

人工晶体学报 doi:10.3969/j.issn.1000-985X.1999.03.003

本文报道了用Er2O3,BaCl2.2H2O和NH4Cl直接合成新型激光上转换晶体Ba2ErCl7的原料和单晶生长方法.差热分析(DTA)测得其熔点为643.7℃.能谱分析(EDS)结果显示Ba∶Er=2∶1,扫描电镜(SEM)显示出晶体的结晶习性.分别用Czochralski和Bridgman方法得到厘米级单晶.晶体在808nm LD激光下产生强上转换绿色激光,阈值低.文中还讨论了合成反应的机理和晶体产生开裂的原因.

关键词: 频率上转换 Ba2ErCl7 晶体 , 激光晶体 , 引上法晶体生长 , 布里奇曼法

Cr:LiSAF可调谐激光晶体的生长及应用

方珍意 , 黄朝恩 , 师瑞泽 , 宋英兰 , 阎泽武 , 刘有臣 , 胡永岚

人工晶体学报 doi:10.3969/j.issn.1000-985X.2000.01.001

本文报道了高质量Cr:LiSrAlF6(简称Cr:LiSAF)晶体的软坩埚下降法生长及其激光特性.采用"固相反应"氟化法处理原料,能有效的去除原料中的氧化物成分和水,得到可用于晶体生长的纯净原料;用厚度仅为0.06~0.09mm的铂金软坩埚,温度梯度控制在20℃/cm以下,用低速率的坩埚下降法生长出尺寸达φ20×130mm的优质单晶,能实现1mol%~15mol%各种浓度的均匀掺杂.在闪光灯泵浦的条件下,该晶体脉冲激光输出能量为3.45J,晶体的储能密度达到2.46J/cm3,激光斜效率高达5.85%,点效率为3.32%.用488nm的单线氩离子泵浦Cr:LiSAF晶体,获得了脉冲宽度40fs、平均输出功率45mW的稳定自锁模脉冲序列.

关键词: 掺铬氟铝酸锶锂晶体 , 软坩埚 , 布里奇曼法 , 斜效率 , 自锁模

Cd1-xZnx合金组元分压控制下高阻CdZnTe晶体的熔体生长

杨炬 , 桑文斌 , 钱永彪 , 史伟民 , 王林军 , 刘冬华 , 闵嘉华 , 李志峰 , 苏宇

人工晶体学报 doi:10.3969/j.issn.1000-985X.1999.04.004

本文运用热力学关系估算了CdZnTe熔体平衡分压.尝试以Cd1-xZnx合金源替代Cd源控制Cd分压和Zn分压进行了Cd 0.8Zn 0.2Te晶体熔体生长,探讨了熔体分压与晶体电阻率的关系.获得的Cd 0.8Zn 0.2Te晶体的电阻率接近1010Ω·cm,高于同类方法文献报道1~2个数量级.晶体的结构完整性较好,平均腐蚀坑密度(EPD)为2×105cm-2,纵向组成分布偏离度在4%左右,红外透过率大于60%,晶体中第二相和沉淀物明显减少,优于仅采用Cd分压控制的Cd0.8Zn0.2Te晶体.

关键词: CdZnTe晶体 , 布里奇曼法 , CdZnTe熔体平衡分压 , γ探测器

CdSiP2晶体的生长与热膨胀性质研究

杨辉 , 朱世富 , 赵北君 , 何知宇 , 陈宝军 , 孙宁 , 吴敬尧 , 林莉

人工晶体学报

设计出PBN内衬的逐层减压石英生长安瓿,采用改进的垂直布里奇曼法,获得了完整无开裂的CdSiP2晶体,尺寸达φ15 mm × 65 mm.采用高分辨X射线衍射、扫描电子显微镜和X射线能谱仪对生长的晶体进行测试表明,生长晶体化学成分非常接近CdSiP2的理论化学配比,结晶性良好.运用红外分光光度计以及红外显微镜对厚度2mm的CdSiP2晶片进行了红外光学性能测试,结果表明,在2~5 μm范围内的红外透过率在53%以上,晶片的红外透过率均匀性接近90%.对CdSiP2晶体a轴方向与c轴方向的热膨胀系数αa和αc分别进行了测定,在温度620K时,a轴方向的热膨胀系数αa高达4×10-6 K-1,几乎为αc的三倍.计算得到Cd-P键rCd-P的热膨胀系数为17×10-6 K-1,比Si-P键rSi-P大得多,采用电子结构理论分析了CdSiP2晶体各向异性热膨胀机理.

关键词: CdSiP2 , 晶体生长 , 布里奇曼法 , 热膨胀

CdZnTe晶体(111)面、(110)面和(100)面的蚀坑形貌观察

陈俊 , 朱世富 , 赵北君 , 高德友 , 魏昭荣 , 李含冬 , 韦永林 , 唐世红

功能材料

利用CdZnte晶体晶面夹角之间的关系采用激光正反射法对改进布里奇曼法生长的CdZnTe单晶进行定向,研磨出了CdZnTe单晶体的(111)、(100)面.采用自行研制的HHKA腐蚀液对三个面进行择优腐蚀,得到了(111)、(100)和(110)面的腐蚀照片,并计算出了蚀坑密度(EPD)约为104~105/m2数量级.结果表明生长晶体的质量较好.

关键词: 晶体生长 , 蚀坑密度 , 布里奇曼法 , 晶体定向

Bridgman法生长Cr∶LiCAF晶体及其闪光灯泵浦性能

方珍意 , 黄朝恩 , 徐川 , 宋英兰 , 胡永岚 , 师瑞泽

人工晶体学报 doi:10.3969/j.issn.1000-985X.1998.02.002

本文报道了用Bridgman法生长的优质大尺寸Cr∶LiCAF晶体及其闪光灯泵浦性能研究.晶体尺寸达φ10×120mm和φ20×100mm,光学质量优良.用氙灯泵浦φ4×70mm的Cr∶LiCAF激光棒,在注入能量为137J时,获得了1.84J的能量输出,测得晶体的斜效率为2.38%,无损耗效率为4.31%.

关键词: 掺铬氟铝酸钙锂晶体 , 激光晶体 , 布里奇曼法 , 闪光灯泵浦 , 激光性能

CaYO(BO3)3晶体坩埚下降法生长

罗军 , 钟真武 , 范世(马豈) , 王锦昌

人工晶体学报 doi:10.3969/j.issn.1000-985X.2000.01.005

本文首次报道了Ca4YO(BO3)3(YCOB)晶体的坩埚下降法生长.在1600~1650℃炉温下,固液界面处的纵向温度梯度为40~60℃/cm,以0.2~0.6mm/h的生长速率,在近封闭的Pt坩埚中生长出了直径达25mm、长度超过50mm的完整透明YCOB晶体.介绍了生长工艺和原料制备,观察发现晶体中的主要宏观缺陷是包裹体.分析了包裹体生成的原因.

关键词: 布里奇曼法 , Ca4YO(BO3)3晶体 , 非线性光学材料 , 包裹体

下降法生长PWO晶体中光散射中心的观察与分析

王绍华 , 沈定中 , 任国浩 , 蔡晓林 , 殷之文

人工晶体学报 doi:10.3969/j.issn.1000-985X.1999.03.011

本文根据光学显微镜、扫描电镜、电子探针微区成分分析和晶体退火过程的实时观察,将存在于PbWO4晶体中的光散射中心分为3种类型:气态包裹物、固态包裹物和微空洞.根据电子探针微区成分分析和XRD物相测定,认为固态包裹物的组成为WO3,Pb2WO5和杂质聚集形成的低共熔点化合物.WO3颗粒是原料中局部WO3未充分固相反应的残留物;Pb2WO5是WO3和局部过量的PbO反应形成的.微空洞是晶体中空位聚集在一起形成的二次缺陷,晶体中的光散射朦芯主要由微空洞构成.通过对光散射中心的成因分析,提出了消除此类宏观缺陷的工艺措施.

关键词: PbWO4晶体 , 光散射中心 , 微空洞 , 包裹物 , 闪烁晶体 , 布里奇曼法

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