张彤
,
王丽杰
,
许武
,
郭小军
,
赵毅
,
刘式墉
液晶与显示
doi:10.3969/j.issn.1007-2780.2004.04.010
在模拟与仿真的基础上,根据MOS器件的源漏击穿特性,分析了用于a-Si TFT有源驱动阵列的外围保护电路的工作原理;同时根据所采用的有源OLED单元像素驱动电路的特点,确定了电源线、数据线、信号线上的相应保护电路形式.该保护电路可应用于OLED的有源驱动TFT阵列.
关键词:
OLED
,
a-Si TFT
,
有源驱动
,
穿通效应
,
布图设计
,
仿真模拟
