张惠
,
沈鸿烈
,
鲁林峰
,
江丰
,
冯晓梅
功能材料
采用射频磁控溅射法在PEN衬底上室温制备了AZO薄膜,并对不同工作气压下(0.05～0.4Pa)沉积薄膜的结构及光电性能进行了研究.结果表明,薄膜具有良好的c轴择优取向,随工作气压增大,薄膜(002)峰强度减弱,晶粒减小,表面粗糙度增大,电学性能下降,薄膜可见光透过率变化不大,但禁带宽度变窄.与玻璃衬底相比,PEN衬底上沉积的AZO薄膜拥有更高的品质因数,获得的最佳电阻率、载流子浓度和霍尔迁移率分别为1.11×10-3Ω·cm、4.14×1020cm-3和13.60cm2/(V·s),该薄膜可见光的绝对透射率达到95.7%.
关键词:
AZO薄膜
,
磁控溅射
,
工作气压
,
PEN衬底
王静静
,
廖波
,
刘维
,
王波
,
宋雪梅
,
严辉
功能材料
在PECVD法制备SiC薄膜过程中,深入研究了工作气压及工作气体中氢稀释比例对薄膜的影响,发现以上两个参数是通过共同调整等离子体状态的两个主要参数--等离子体成分及离子能量来起作用的.在此基础上,讨论了等离子体状态在SiC薄膜微结构从非晶转化为纳米晶过程中的作用,发现可以通过控制等离子体成分及离子能量来得到可用于场发射阴极的纳米晶SiC薄膜.
关键词:
工作气压
,
氢稀释度
,
β-SiC
,
PECVD
廖国
,
王冰
,
张玲
,
牛忠彩
,
张志娇
,
何智兵
,
杨晓峰
,
李俊
,
许华
,
陈太红
,
曾体贤
,
谌家军
表面技术
doi:10.3969/j.issn.1001-3660.2011.06.024
采用直流磁控溅射沉积技术在不同工作气压下制备Mo膜,研究了工作气压对Mo膜的沉积速率、表面形貌及晶型结构的影响规律,研究表明:工作气压在0.1～0.5 Pa范围内,沉积速率基本保持不变,在0.5～1.5 Pa范围内沉积速率随工作气压的升高而增大；Mo膜的表面粗糙度随工作气压的升高而增加；不同工作气压下制备的Mo膜为立方结构,在较低工作气压下薄膜结晶性能较好.
关键词:
直流磁控溅射
,
Mo薄膜
,
工作气压
,
沉积速率
,
表面形貌
付恩刚
,
庄大明
,
张弓
,
杨伟方
,
赵明
功能材料
工作气压在ZnO∶Al(ZAO)薄膜制备过程中是一个重要的工艺参数,直接决定着薄膜的性能.本文利用中频交流磁控溅射方法, 采用氧化锌铝(ZnO与Al2O3的质量比为98∶2)陶瓷靶材, 在基体温度为250℃,工作气压范围为0.2～8.0Pa条件下,制备了ZAO薄膜.利用X射线衍射仪和原子力显微镜对薄膜的结构和形貌进行了分析和观察,利用分光光度计和霍尔测试仪测量了薄膜的光学和电学性能,研究了制备薄膜时不同的工作气压(氩气压力PAr)对薄膜的结构、形貌、光学性能和电学性能的影响.结果表明:随着工作气压的增加,薄膜的电阻率先略有下降然后上升,相应地,载流子浓度和迁移率先略有上升然后下降,而可见光谱平均透过率保持在80%以上. 当基体温度为250℃,氩气压力为0.8Pa时,薄膜的电阻率最低,为4.6×10-4Ω*cm,方块电阻为32Ω时,在范围为490～600nm的可见光谱内的平均透过率可达90.0%.
关键词:
磁控溅射
,
ZAO薄膜
,
工作气压
,
电阻率
,
透过率
廖国
,
何智兵
,
杨晓峰
,
陈太红
,
许华
,
李俊
,
谌加军
表面技术
doi:10.3969/j.issn.1001-3660.2011.04.011
采用直流磁控溅射方法在不同工作气压下制备了Bi薄膜,对薄膜的晶体结构、沉积速率、表面形貌和生长模式进行了研究,并对其晶粒尺寸的变化规律进行了分析.X射线衍射(XRD)结果表明Bi薄膜均为多晶斜六方结构.研究发现沉积速率随工作气压的升高先增大后减小.扫描电镜(SEM)图像显示随着工作气压的升高,小晶粒尺寸增大、大尺寸晶粒逐渐消失,薄膜变得疏松多孔；薄膜经历柱状-节榴状-楔形3种生长方式.
关键词:
直流磁控溅射
,
Bi薄膜
,
工作气压
,
沉积速率
,
表面形貌
曹德峰
,
万小波
,
邢丕峰
,
易泰民
,
杨蒙生
,
郑凤成
,
徐导进
,
王昆黍
,
楼建设
表面技术
利用直流磁控溅射技术在单晶Si(110)基底上制备Mo薄膜,分析了工作气压对沉积速率、表面质量及微观结构的影响.结果表明:薄膜的沉积速率随压强的增大而增加；低气压下沉积的Mo薄膜表面质量较好且结构致密,高气压下沉积的Mo薄膜表面质量较差且结构疏松；在工作气压为0.8Pa时,制备的Mo薄膜晶粒尺寸与微观应力值最小.
关键词:
Mo薄膜
,
直流磁控溅射
,
工作气压
,
晶粒尺寸
,
微观应力
李松玲
,
王如志
,
赵维
,
王波
,
严辉
液晶与显示
doi:10.3969/j.issn.1007-2780.2010.06.005
采用反应磁控溅射法在不同工作气压(0.5～2.0 Pa)下沉积了一系列氮化铝(AIN)薄膜.研究发现,在保持其他工艺参数不变的条件下,工作气压对薄膜厚度的影响很小.场发射性能测试表明,在较低的工作气压(0.5 Pa和0.7 Pa)下制备的A1N薄膜具有一定的场发射性能.扫描电子显微镜(SEM)图像显示,在较高的工作气压(2.0 Pa)下制备的薄膜易产生空位及微空洞等缺陷,使薄膜致密性下降.电子在薄膜中的输运因受到缺陷的散射而不能隧穿表面势垒进行发射.研究表明,为获得具有良好场发射性能的A1N薄膜,若采用反应磁控溅射法,应选取较低的工作气压;同时,对于薄膜型阴极,具有紧密晶粒结构及较小缺陷的薄膜可能具有更优异的场发射性能.
关键词:
氮化铝薄膜
,
场发射
,
工作气压
,
缺陷
邓金祥
,
谭利文
,
王波
,
严辉
,
陈光华
材料科学与工程学报
doi:10.3969/j.issn.1673-2812.2000.z2.026
本文报道了工作气压对射频溅射法制备立方氮化硼(c-BN)薄膜影响的实验结果.c-BN薄膜沉积在p型Si(100)衬底上,溅射靶为六角氮化硼(h-BN),工作气体为Ar气和N2气混合而成,薄膜的成分由傅里叶变换红外吸收谱标识.结果表明,与射频功率、衬底温度和衬底负偏压一样,工作气压也是影响c-BN薄膜生长的重要参数.要得到一定立方相含量的氮化硼薄膜,必须要有合适的工作气压,否则,薄膜中不能形成立方相.在工作气压为5×10-3乇时,得到了立方相含量在90%以上的立方氮化硼薄膜.
关键词:
立方氮化硼
,
射频溅射
,
工作气压
张姣姣
,
余志明
,
洪瑞江
,
侯惠君
机械工程材料
采用自制的LD-650型直流等离子体增强化学气相沉积炉在不同渗氮工作气压下对H13钢进行了离子渗氮处理,研究了工作气压对该钢渗氮层组织及性能的影响.结果表明:渗氮工作气压显著影响渗氮层的厚度,随着工作气压的升高,渗氮层中化合物层厚度呈现先增加后减小的趋势,在1 066 Pa下达到极大值9μm;工作气压对渗氮层表面硬度影响较小;随着工作气压的升高,化合物层的ε相和γ'相均增加,在1 066 Pa时其体积分数达到最大,分别为37.1%和35.7%;在试验条件下,工作气压为1 066 Pa下得到的渗氮层性能良好.
关键词:
工作气压
,
离子渗氮
,
H13模具钢
刘磊
,
王涛
,
何智兵
,
张玲
,
易勇
,
杜凯
功能材料
doi:10.3969/j.issn.1001-9731.2017.01.038
采用直流/射频耦合反应磁控溅射法在Si(111)衬底上使用高纯石墨靶材制备出了类金刚石(DLC)薄膜.分别采用表面轮廓仪、激光拉曼光谱、傅里叶变换红外光谱、X射线光电子能谱、扫描电镜、白光干涉仪、纳米压痕对薄膜的性能进行了表征和分析.研究了沉积过程中不同工作气压(0．35~1．25 Pa)对薄膜沉积速率、结构、表面形貌及力学性能的影响.研究表明，随着工作气压的升高，薄膜的沉积速率逐渐减小，薄膜中 sp3含量先升高后降低；薄膜表面粗糙度随工作气压的升高呈现出先降低后升高的趋势，且在工作气压为1．0 Pa时达到最小值6．68 nm；随着工作气压的升高，薄膜的显微硬度与体弹性模量先升高后降低，且在工作气压为1．0 Pa时分别达到最大值11．6和120．7 GPa.
关键词:
耦合反应磁控溅射
,
类金刚石薄膜
,
工作气压
