唐盼盼
,
王颖
功能材料与器件学报
doi:10.3969/j.issn.1007-4252.2012.02.016
研究了一种具有OB(Oxide By - passed)结构的SOI LDMOS器件,分析了该器件的耐压机理以及结构特点,并通过SILVACO TCAD软件对该结构进行三维数值仿真.通过仿真验证可知,该结构通过类超结(SJ)电场调制技术获得了与超结器件类似的性能,该结构与SJ LDMOS在相同的尺寸情况下尽管耐压相同,但导通电阻从3.81mΩ·cm2降低到1.96mΩ·cm2,同时克服了SJ LDMOS器件制造工艺上高深宽比以及电荷浓度难易精确匹配的缺陷.
关键词:
SOI结构
,
OB结构
,
导通电阻
,
电荷补偿
宋文斌
,
许高博
,
曾传滨
,
韩郑生
功能材料与器件学报
doi:10.3969/j.issn.1007-4252.2008.06.012
采用金属硅化物扩散层分隔技术制备了源漏区具有不同硅化物挡板尺寸的环型栅PD SOIMOSFETs,通过CLP实验数据分析器件的硅化物隔离档板的尺寸对SOI NMOSTET抗ESD能力以及对多指栅ggnMOS管子导通均匀性的影响.结果显示,采用了硅化物隔离挡板的管子二次击穿电压明显提高;随着挡板尺寸增加,多指栅的导通均匀性得到明显改善.
关键词:
绝缘体上硅SOI
,
ESD
,
源漏硅化物
,
二次击穿
,
导通电阻
,
栅接地NMOS器件
蔡小五
,
海潮和
,
王立新
,
陆江
功能材料与器件学报
doi:10.3969/j.issn.1007-4252.2007.05.019
由于"Silicon Limit"的限制,VDMOS的导通电阻不能很大程度的降低,为了突破这一极限,超结VDMOS结构被采用,本文采用氮化硅硬掩模和高能硼注入在n型外延层中形成交替的p型区从而形成超结结构.利用ISE-TCAD模拟器进行工艺器件模拟,模拟结果表明击穿电压最大有40%的提高,同时导通电阻也有明显的降低.采用高能注入形成超结VDMOS为减小VDMOS导通电阻提供了一种切实有效的方法.
关键词:
VDMOS
,
超结
,
击穿电压
,
导通电阻
孙智林
,
孙伟锋
,
易扬波
,
吴建辉
功能材料与器件学报
doi:10.3969/j.issn.1007-4252.2004.01.015
提出了一种新型SOI P-LDMOS器件,其大部分漂移区不覆盖场氧,从而避免了因生长场氧的高温过程而引起的硼杂质分凝效应,并在制备场氧、栅氧之后进行漂移区表面注入,由于注入后没有长时间的高温过程,进一步提高了漂移区表面的掺杂浓度.模拟结果表明新型P-LDMOS性能得到明显改善,与传统P-LDMOS相比开态导通电阻降低了24.7%,击穿电压提高了17.3%,饱和电流提高了26.7%.
关键词:
LDMOS
,
导通电阻
,
表面注入
,
SOI
