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非晶Cr/Ge多层膜的磁性和电性能研究

王锋 , 许辉鳄 , 杨少贵

人工晶体学报

采用射频磁控溅射的方法制备了非晶[Crx/Ge10-x]20(x=0.1,0.3,0.5,0.8,1.1,1.6,2.7)多层膜.随着Cr层厚度增加,Ge层厚度减小,室温下薄膜磁性由抗磁性转变为铁磁性,同时样品出现了反常霍尔效应.扣除Ge层的抗磁性,制备态的[Cr2.7/Ge7.3]20的饱和磁化强度Ms可达33 emu/cm3.提出了磁性起源于Cr原子层间耦合的模型,薄膜的低温电阻导电机理属于自旋依赖电子变程跃迁机制.

关键词: 非晶多层膜 , 磁控测射 , 磁性 , 导电机理

TiO 2/PA 纤维的导电性能研究

王少伟 , 乐珮珮 , 李晓强 , 葛明桥

功能材料 doi:10.3969/j.issn.1001-9731.2014.01.018

设计制备了导电 TiO 2材料,使用(NaPO 3)6对其进行表面活性处理,并与聚酰胺(PA)混合造粒,再经熔融纺丝制备了一种白色导电纤维。测试表明经处理的导电 TiO 2材料可以很好地分散于 PA 基体中且相容性良好,纺出的纤维具有良好的导电性能。对其导电机理进行了研究,结果表明当导电 TiO 2含量<7%时属于隧道导电,含量为10%~13%时属于隧道导电和欧姆导电组合导电,含量>13%时以欧姆导电为主。

关键词: 导电纤维 , 导电TiO2 , 表面改性 , 导电机理

形变原位铜基复合材料的研究进展

张俊超 , 刘平 , 田保红 , 任凤章

材料导报

综述了形变原位铜基复合材料的制备方法、组织演变及综合性能特点,介绍了该类材料的强化和导电机理.分析指出:形变原位铜基复合材料兼顾了高强度和高导电性,已成为高强高导铜基导电材料研发领域的热点之一,降低生产成本、研究产业化制备工艺、深入完善基础理论是该类材料的发展趋势.最后探讨了该类材料的应用前景.

关键词: 原位铜基复合材料 , 形变 , 强化机理 , 导电机理

碳基材料掺杂聚合物导电特性研究进展

曹庆超 , 黄安平 , 张维 , 郑晓虎 , 肖志松 , 王小威 , 季君晖

高分子材料科学与工程

导电聚合物可分为结构型导电聚合物和复合型导电聚合物,其中复合型导电聚合物主要是碳基材料或金属掺杂聚合物而得到。文中综述了碳基材料掺杂聚合物的导电机理和碳基材料掺杂聚合物导电特性的研究进展。导电机理主要有渗滤理论、隧道效应和场致发射理论等。目前应用于复合型导电聚合物的碳基材料主要为炭黑、碳纳米管和石墨烯等。文中还简要介绍了碳基材料掺杂聚合物的应用和发展趋势。

关键词: 聚合物 , 掺杂 , 碳纳米管 , 石墨烯 , 导电机理

纳米银填充导电浆料的研究进展

熊娜娜 , 王悦辉 , 李晶泽

稀有金属材料与工程

导电浆料是发展电子元器件的基础及封装、电极和互联的关键材料.随着电子元器件向微型化、精密化和柔性化等方向发展,国内外正在开展金属导电填料纳米化的研究.其中,纳米银填充导电浆料成为该领域的研究热点.纳米银作为导电填料对银浆性能影响是正面还是负面影响还没有一个统一的结论.一般认为纳米银填充到基体中,由于粒子间的接触点面积小,填料粒子数目增多导致接触电阻增加.只有当纳米银间距离在一定范围内时,由于隧道效应等使导电性增强.这主要与其颗粒大小和形貌、表面性质和烧结行为等密切相关.本文从纳米银填充导电浆料的导电机理、纳米银低温烧结、表面处理、填量、形貌和原位添加等方面综述了国内外研究者近年来在纳米银填充导电浆方面的研究进展,并对未来的发展方向进行了展望.

关键词: 纳米银 , 导电浆料 , 导电机理 , 低温烧结 , 表面处理

炭黑填充粒子对导电硅橡胶压阻特性的影响

李斌 , 赵丽琼 , 王钰

材料导报

阐述了复合型导电高分子材料的导电机理,分析了4种导电炭黑填充量对导电硅橡胶导电特性的影响,实验分析了相同导电填料、不同质量分数情况下的导电硅橡胶压阻特性,分析了相同质量分数、不同导电填料对复合材料压阻特性的影响.研究表明,随着炭黑填充量的不断增加,复合材料体积电阻率均呈下降趋势;4种炭黑填充的导电硅橡胶渗流阀值较接近;导电硅橡胶的电阻-压力变化规律符合隧道效应理论模型;为保证导电硅橡胶具有良好的压阻特性,应根据原料控制好导电炭黑的添加量.

关键词: 导电硅橡胶 , 导电机理 , 炭黑 , 导电特性 , 压阻特性

射频磁控溅射沉积ITO薄膜性能及导电机理

李世涛 , 乔学亮 , 陈建国

中国有色金属学报

将In2O3和SnO2粉末按质量比1:1热压烧结制成靶材,采用射频磁控溅射制备了高性能的ITO薄膜.实验结果表明:氩气压强对薄膜的电阻率、可见光透射率TVIL有着重要的影响,其最佳值为0.2Pa.ITO膜的方阻、TVIL和颜色与膜厚有着密切的关系. 提高基体温度ts可以改善薄膜的性能,在ts为200℃时,ITO薄膜的TVIL达到90%以上(含玻璃基体),方阻为13.1Ω/□. 根据薄膜生长的3个阶段理论,建立了薄膜厚度与电阻率的关系:在ITO薄膜生长过程中,依次出现热发射和隧道效应、逾漏机制以及Cottey模型导电机理. 由实验结果求得了临界厚度dc约为48~54nm,AFM表征结果进一步表明ITO薄膜随着厚度增加表现出不同的导电机理和尺寸效应.

关键词: ITO薄膜 , 磁控溅射 , 氩气压强 , 基体温度 , 导电机理

固化过程对导电胶体积电阻率的影响

李芝华 , 孙健

高分子材料科学与工程

采用三种不同固化收缩率的树脂配制了三种导电胶.通过实验研究了等温固化过程中树脂基体的固化收缩率对导电胶体积电阻率的影响.研究结果表明,树脂基体的固化收缩率越大,对应导电胶的体积电阻率越小.导电胶的体积电阻率与固化时间呈指数关系.导电胶在未固化时体积电阻率极大,其导电性的建立发生在树脂基体的凝胶化阶段,且在这一阶段中导电胶的电阻率急剧下降,凝胶化阶段完成后的导电胶电阻率变化较小.

关键词: 导电胶 , 固化收缩 , 导电机理 , 体积电阻率

复合型导电高分子材料的电阻-温度效应

张学勇 , 李斌 , 付朝阳 , 刘坤

材料导报

分析了复合导电材料的导电机理,阐述了关于复合型导电高分子材料电阻-温度效应产生机理的研究进展.指出了导电填料的种类、含量以及高分子基体的结构等因素对电阻-温度效应的影响程度.通过对填料和基体进行改性和表面处理能有效提高温度效应的强度、稳定性和重复性.还概述了相关电阻温度效应的计算模型.

关键词: 导电复合材料 , 电阻温度效应 , 导电机理 , PTC强度 , 稳定性

SnO2湿敏陶瓷伏安特性分析及其导电机理

胡素梅 , 陈海波

材料科学与工程学报

采用共沉淀法制备出SnO2-LiZnVO4系湿敏粉体,考察了液相掺杂LiZnVO4和环境的相对湿度(RH)对材料伏安特性的影响.实验结果表明,LiZnVO4的添加量和环境的相对湿度(RH)对材料伏安特性有较大影响.当LiZnVO4添加量为10mol%时,试样伏安特性的非线性最明显,对应的感湿灵敏度也最好.高湿和低湿时的伏安特性和直流充放电特性都表明,该材料在低湿区主要导电载流子是电子;在高湿区,其主要导电载流子是离子.

关键词: SnO2-LiZnVO4系 , 伏安特性 , 直流充放电特性 , 导电机理

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