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原位合成MoSi2一SiC复合材料的室温增韧

孙祖庆 , 张来启 , 杨王玥 , 傅晓伟 , 朱静

金属学报 doi:10.3321/j.issn:0412-1961.2001.01.022

原位合成MoSi2-SiC复合材料的断裂韧性明显高于单一MoSi2的断裂韧性组织结构的TEM与HREM研究结果表明:原位合成MoSi2/SiC界面为直接的原子结合,无SiO2非晶层存在结合对该复合材料的KIc断口形貌及压痕裂纹连续扩展路径的观察分析表明,其室温增韧机制为MoSi2-SiC界面间较高的结合力、MoSi2基体晶粒细化及裂纹偏转和桥接.

关键词: MoSi2-SiC复合材料 , 原位合成 , 断裂 , 室温增韧