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李宇杰 , 刘晓华 , 介万奇
材料研究学报 doi:10.3321/j.issn:1005-3093.2000.04.008
利用ACRT-VBM法生长Hg1-xMnxTe晶体,并对所得晶体作出宏观和微观质量评价.为改善晶体的电学性质,将生长态的晶体在低温下长时间退火,实现了晶片的反型. Hall电测量的结果表明位错的数量、分布及富Te相、晶界、杂质等的存在都对晶体的电学性质有显著的影响.
关键词: Hg1-xMnxTe , 宏观质量评价 , 微观质量评价 , 低温退火 , Hall电测量
