朱锋
,
薛玉明
,
孙建
,
赵颖
,
耿新华
人工晶体学报
doi:10.3969/j.issn.1000-985X.2004.03.034
采用孪生ZnO(Al2O3:2%)对靶直流磁控溅射制备高透过率、高电导率的平面ZnO薄膜(迁移率为5.56 cm2/V·s,载流子浓度为4.57×1020cm-3,电阻率为2.46×10-3Ω·cm,可见光范围(380～800nm)平均透过率大于85%).用酸腐蚀的方法,可以获得绒面效果,而反应气压对绒面效果没有影响,薄膜的电学特性没有变化,绒面对光散射作用增强,导致相对于平面ZnO薄膜的透过率要低一些(可见光范围平均透过率大于80%).
关键词:
孪生对靶
,
直流磁控溅射
,
ZnO
,
透明导电薄膜
,
绒面
杨钰瑛
,
孙维连
,
李新领
,
王会强
,
孙玉梅
材料热处理学报
doi:10.3969/j.issn.1009-6264.2007.02.007
采用中频反应磁控溅射技术沉积ZrN薄膜,在真空镀膜机内对称安装了3对矩形孪生靶.利用等离子体发射光谱和质谱仪QMS200分别实时监控真空炉内靶材表面的谱线变化和各种气氛的分压强,并通过控制系统氮气流量自动调控,从而消除了靶中毒和打火现象,确保了溅射镀膜的稳定进行.通过对氮化锆膜层的显微组织观察、X射线衍射和俄歇半定量分析,沉积的氮化锆薄膜膜层致密,与基体的结合牢固.结果表明:当炉内氮气分压强为45%,控制靶电压200V,靶电流为25A,逐步调节Ar与N2比例,可获得成分均匀,膜层致密,结合力较好的金黄色氮化锆薄膜.
关键词:
中频溅射
,
孪生对靶
,
氮化锆
,
薄膜
李微
,
孙云
,
何青
,
刘芳芳
,
李凤岩
人工晶体学报
doi:10.3969/j.issn.1000-985X.2006.04.021
本文以ZnO:Al(ZAO)陶瓷为靶材,采用孪生对靶直流磁控溅射工艺在玻璃衬底上制备出高质量的铝掺杂氧化锌透明导电膜,研究了该薄膜的结构、光电及力学特性.采用孪生对靶制备ZAO薄膜可使样品避开等离子体直接轰击,减少基底薄膜的损伤.制备的薄膜具有结晶程度高、电阻率低、迁移率高等优点.ZAO薄膜的最低电阻率达到了4.47×10-4Ω·cm,在可见光区的平均透过率达到85%以上,非常适合做为铜铟硒(CIS)薄膜太阳电池窗口层.
关键词:
孪生对靶
,
磁控溅射
,
ZnO:Al
