刘张李
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邹世昌
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张正选
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毕大炜
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胡志远
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俞文杰
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陈明
,
王茹
功能材料与器件学报
doi:10.3969/j.issn.1007-4252.2010.05.001
综述了浮栅存储器的单粒子效应国外研究进展,对浮栅存储器控制电路及存储单元的单粒子效应进行详细分析和讨论.指出控制电路是浮栅存储器单粒子效应的关键部件以及重离子轰击使浮栅存储器数据保持特性退化;阐述了浮栅存储单元辐射后可能的电荷损失机制.最后指出纳米晶浮栅存储器具有好的抗辐射能力.
关键词:
控制电路
,
存储单元
,
单粒子效应
,
电荷损失
岳帮辉
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魏廷存
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樊晓桠
液晶与显示
doi:10.3969/j.issn.1007-2780.2006.05.032
内置单端口SRAM是单片集成的TFT-LCD驱动控制电路芯片中的重要模块,主要功能是存储CPU送来的一帧画面的显示图像数据以及输出数据到显示单元,其主要性能指标是存储速度和消耗功率.文章讨论了内置SRAM的分块存储结构,阐述了SRAM存储单元的设计方法.在预充电路的设计中采用了分块预充机制,既节省了功耗又保证了预充时间,同时提出了预充时位线电荷再利用设计方案,使得预充电功耗降低了1/2左右.采用0.25 μm CMOS工艺设计并实现了TFT-LCD驱动控制电路芯片中的SRAM模块,其容量为418 kbits.NanoSim仿真结果表明,SRAM存储单元的读写时间小于8 ns,当访存时钟频率为3.8 MHz时,静态功耗为0.9 mW,动态功耗小于3 mW.
关键词:
TFT-LCD驱动芯片
,
单端口SRAM
,
存储单元
,
预充电路
