程东
,
严立
,
严志军
功能材料
通过对Cu/Ni多层膜纳米压痕过程的二维分子动力学模拟,研究了失配位错对多层膜力学性能的影响.结果表明,失配位错网对滑移位错的阻碍作用使Cu/Ni多层膜得以强化,并且这种强化作用依赖于多层膜的调制波长(相邻两膜层的厚度之和).当调制波长大于临界值λc时,失配位错的应力场随膜层厚度变化不大;当调制波长小于临界值λc时,失配位错的运动导致了界面处的应力集中,从而使多层膜的力学性能下降.为了优化多层膜的力学性能,临界调制波长要大于在单膜层内产生位错的深度.
关键词:
多层膜
,
失配位错
,
分子动力学
,
纳米压痕
邹蓉
,
徐建刚
,
宋海洋
,
席欢
,
李国辉
兵器材料科学与工程
采用分子动力学模拟方法研究了旋转晶界角对铜孪晶纳米线拉伸加载下力学性能的影响.模拟采用多体紧束缚势函数描述铜原子间的相互作用.通过模拟结果,分析了单晶铜和孪晶铜之间的差异,以及不同旋转晶界角的铜孪晶纳米线的位错成核机制.结果表明:随着旋转晶界角的增加,铜纳米线的屈服强度减弱;当旋转晶界角较小时,界面上出现了成三角形网格的失配位错,随着旋转晶界角的增大,网格逐渐缩小甚至消失;旋转晶界角较大时,晶界处易于位错成核,且界面对位错的存储能力和阻碍作用均减弱,导致屈服强度减弱.
关键词:
分子动力学模拟
,
铜孪晶纳米线
,
旋转晶界角
,
失配位错
,
力学性能
程东
,
严志军
,
严立
金属学报
doi:10.3321/j.issn:0412-1961.2006.02.002
Cu/Ni多层膜的强化作用来自于多层膜结构中交变应力场对位错运动的约束.该交变应力场主要包括两部分:在共格界面处由于剪切模量差而导致的镜像力,以及多层膜内由于晶格常数差而形成失配位错网的应力.如果位错在膜层内运动的临界应力值小于交变应力场的约束,位错会被限制在单层膜内运动,多层膜被强化;反之,则位错很容易通过界面到达临近的膜层,多层膜开始出现弱化.交变应力场的变化幅值与多层膜的调制波长相关.理论计算结果表明,Cu/Ni多层膜的临界调制波长为1.9 nm,但失配位错网的交变应力场在多层膜的调制波长λ=9 nm时振幅达到极值.
关键词:
多层膜
,
失配位错
,
分子动力学
,
交变应力场
刘红荣
,
蔡灿英
,
杨奇斌
,
王岩国
金属学报
doi:10.3321/j.issn:0412-1961.2003.03.002
用高分辨透射电子显微镜对内氧化产生的Cu/MgO界面进行了研究,观察到了取向关系相同的两种不同界面.并运用近重位点阵模型对其界面结构进行了研究,求出了失配位错的3个Burgers矢量和次级位错的3个Burgers矢量,它们分别为:b3=1/4[011]MgO,b2=1/2[100]Cu,b3=1/4[011]MgO;b1＇=1/12[101]Cu(或1/99[755]MgO),b2＇=1/12[101]Cu(或1/99[755]MgO),b3＇=1/6[010]Cu(或1/10[011]MgO)失配位错之间的距离与实验测量结果符合得很好.
关键词:
Cu/MgO界面
,
近重位点阵
,
失配位错
程东
,
严志军
,
严立
金属学报
Cu/Ni多层膜的强化作用来自于多层膜结构中交变应力场对位错运动的约束.该交变应力场主要包括两部分:在共格界面处由于剪切模量差而导致的镜像力, 以及多层膜内由于晶格常数差而形成失配位错网的应力. 如果位错在膜层内运动的临界应力值小于交变应力场的约束, 位错会被限制在单层膜内运动, 多层膜被强化; 反之, 则位错很容易通过界面到达临近的膜层, 多层膜开始出现弱化. 交变应力场的变化幅值与多层膜的调制波长相关. 理论计算结果表明, Cu/Ni多层膜的临界调制波长为1.9 nm, 但失配位错网的交变应力场在多层膜的调制波长λ=9 nm时振幅达到极值.
关键词:
多层膜
,
null
,
null
,
null
刘红荣
,
蔡灿英
,
杨奇斌
金属学报
用高分辩透射电子显微镜对内氧化产生的Cu/MgO界面进行了研究，观察到了取向关系相同的两种不同界面。并运用近重点陈模型对其界面结构进行了研究，求出了失配位错了3个Burgers矢量和次级位错的3个Burgers矢量，它们分别为：失配位错之间的距离与实验测量结果符合得很好。
关键词:
Cu/MgO界面
,
null
,
null
