李永富
,
祁海峰
,
王青圃
,
张行愚
,
刘泽金
,
王玉荣
,
魏爱俭
,
夏伟
,
张飒飒
量子电子学报
doi:10.3969/j.issn.1007-5461.2007.05.018
利用532 nm连续激光对掺Si的n型砷化镓材料进行作用,材料的晶轴方向为〈100〉偏〈111A〉方向15°.实验观察到,连续激光与材料相互作用过程中,材料作用表面的反射光在观察屏上形成环状结构,认为是由夫琅和费衍射产生的,并首次提出将衍射作为探测材料损伤的方法.实验测得砷化镓的阈值损伤功率密度为2.56×105W/cm2.利用温度场的热传导方程计算获得材料的损伤阈值时间与入射光功率密度的关系曲线,并与实验曲线进行了比较.
关键词:
激光技术
,
激光损伤阈值
,
夫琅和费衍射
,
砷化镓材料
,
532 nm连续激光
,
热传导
