李劼
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闫剑锋
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田忠良
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赖延清
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贾明
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伊继光
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刘业翔
材料导报
最近光伏产业发展迅速,对太阳级硅的需求急剧增长,制备太阳级硅的技术成为现在各国的一个研究热点.综述了太阳级硅制备技术的现状,指出了其中存在的能耗高、流程复杂等问题.总结了近几年研究较多的几种太阳级硅制备新方法的技术特点与研究进展,包括真空感应熔炼法、电子束熔炼法、等离子体熔炼法、热交换法、凝固提纯法、熔盐电解法等.并指出B和P等几种元素的去除效果以及能否适合大规模生产等都是这些新技术开发过程中需要注意的问题.
关键词:
光伏产业
,
太阳级硅
,
制备技术
,
研究进展
尹盛
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王敬义
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李战春
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张繁
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沈亮
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赵伯芳
稀有金属材料与工程
介绍了一种用直流氩等离子体对硅粉刻蚀提纯的方法.实验结果表明硅粉纯度可由99.6%提高到99.95%.处理后的硅粉还可进行熔化-固化-粉碎再处理,因此这是一种技术上可行的太阳级硅制备新方法.文中还应用反应室鞘层厚度、硅粉沉降平均速度、考虑高能中性粒子刻蚀作用的刻蚀速率方程等进行理论分析,结果显示,在一定的工艺参数下,刻蚀提纯是有效的,并与实验结果相近.这也为粉体表面刻蚀研究提供了一种新的手段.
关键词:
粉粒表面刻蚀
,
刻蚀提纯
,
太阳级硅
,
直流等离子体
王飞
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尹盛
,
王家鑫
,
陈亮亮
功能材料
针对立式反应室、直流氩等离子体情况,建立硅粉的运动学模型,绘出粉粒沉降时间与粉粒粒度和进气速率的关系曲线,并通过该模型选择进气速率为4～10L/s,粉粒的粒度范围为70～100μm.为了提高粉粒沉降过程中纯化效果,建立并分析鞘层模型中与鞘层厚度、鞘层区离子浓度以及鞘层离子平均动能有关的工艺参数的变化关系并提出一套优化选择放电参数的方法.通过该方法优化工艺参数为反应室总压力为4～6Pa,阴极电压为2000V或是更高,鞘层厚度为1.2～2cm.提纯实验结果表明,硅粉的纯度可由99.6%提高到99.95%.
关键词:
粉粒纯化
,
工艺参数
,
鞘层
,
太阳级硅
