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屠海令
上海金属 doi:10.3969/j.issn.1001-7208.2008.05.001
叙述了大直径硅单晶生长,计算机数值模拟以及绝缘体上硅(SOI)、锗硅(SiGe)和应变硅等硅基材料的研究进展,讨论了硅中缺陷演化、杂质特性、缺陷工程和表面与界面质量控制,展望了后摩尔时代半导体硅及硅基材料的发展前景.
关键词: 大直径硅单晶 , 硅基材料 , 缺陷 , 杂质
功能材料
本文叙述了大直径硅单晶生长、杂质缺陷行为、表面质量控制及硅基材料的研究现状,讨论了应变硅与绝缘体上硅(SOI)相结合的发展趋势,展望了纳米集成电路用大直径硅及硅基材料的技术经济前景.
关键词: 纳米集成电路 , 大直径硅单晶 , 硅基材料
