材料期刊网

CdSe单晶体的生长及其特性研究

邵双运 , 金应荣 , 朱世富 , 赵北君 , 宋芳 , 王学敏 , 朱兴华

人工晶体学报 doi:10.3969/j.issn.1000-985X.2001.02.002

本文报道了用改进的垂直气相法(多级提纯垂直气相法)生长富Cd的CdSe单晶体，并对晶体的性能进行了观测，其电阻率为107Ωcm量级，电子陷阱浓度为108cm-3量级，第一次报道了(110)面的腐蚀形貌。结果表明：采用这种方法制备CdSe单晶，设备简单，易于操作，在提纯和生长过程中不需要转移原料，有利于减少晶体中的杂质含量，降低位错密度，改善晶体的电学性能。多级提纯垂直气相法是一种有前途的CdSe单晶体生长的新方法。

关键词: CdSe单晶体 , 多级提纯 , 气相生长 , 电阻率