郭廷彪
,
丁雨田
,
许广济
,
胡勇
中国有色金属学报
分别用小通道角模具(模具Ⅰ)和大通道角模具(模具Ⅱ)以及A 路径和Bc路径对单晶铜和多晶铜进行等通道角挤压(ECAP)实验,对挤压后的组织进行光学显微镜(OM)和扫描电镜(SEM)观察,对挤压后的单晶铜组织进行XRD分析,研究单晶铜和多晶铜在挤压中的变形行为.结果表明:单晶铜在两种路径挤压后的抗拉强度无明显差异,用模具Ⅰ挤压时其力学性能的变化幅度较大,经多道次挤压后,其显微组织沿压力轴方向具有明显的定向排列特征.多晶铜在A路径挤压时,其抗拉强度的上升幅度明显比在Bc路径挤压时大.随着挤压道次的增加,两种材料的组织均匀化程度和硬度增大,其断裂方式逐渐由韧性断裂向脆性断裂方向转变.
关键词:
单晶铜
,
多晶铜
,
等通道角挤压
,
大塑性变形
,
力学性能
曹军
,
丁雨田
,
卢振华
,
胡勇
材料热处理学报
利用扫描电镜、X射线衍射仪和氧化称重实验对铜表面氧化速率进行研究,分析了不同组织、晶粒和温度对铜氧化性能的影响。结果表明:铜的组织结构是影响其氧化性能的主要因素,非密排的(100)晶面上界面能高、晶面原子堆垛相对疏松和原子尺度上粗糙,且氧化膜生长连续,氧化速率高于密排的(111)晶面;温度升高,铜表面的内能增大,铜原子较易成为活化原子与氧气发生反应,同时增大了铜原子在氧化膜中的扩散速率,加速了铜的氧化;铜试样经过等径角挤压(ECAP)后,(111)晶面铜表面的面积增大,氧化速率降低,晶界不是影响铜氧化速率的主要因素,能量较小的晶面原子所占的面积增大,铜的氧化速率减小。
关键词:
单晶铜
,
多晶铜
,
氧化速率
,
等径角挤压(ECAP)
陈忠伟
,
胡锐
,
李金山
,
寇宏超
,
何平
,
李玉龙
,
傅恒志
稀有金属材料与工程
以带有同步组装技术的分离式Hopkinson压杆装置作为热模拟装置,采用基于MTS(Mechanical Threshold Stress)模型建立的FCC晶体结构的动态本构方程,确定了定向凝固水平连铸多晶铜动态本构方程参数,研究了其动态冲击特性,获得高温段(685 K~1085 K)的理论应力-应变曲线与实验曲线相当吻合,而在低温段(低于685 K)的理论曲线与实验曲线出入较大.结果也表明定向凝固水平连铸多晶铜在485 K和685 K之间有一温度能使其回复能达到阀值.
关键词:
动态本构方程
,
定向凝固水平连铸
,
多晶铜
,
Hopkinson压杆
黄晓旭
,
蔡大勇
,
姚枚
,
刘庆
,
材料科学与工艺
doi:10.3969/j.issn.1005-0299.2000.03.001
采用TEM对冷轧多晶铜与多晶铝的形变显微组织演变进行了对比研究.结果发现:多晶铜及多晶铝形变显微组织中均含有三类典型的位错结构类型,其中的两种结构特征在两种材料中是相似的,这两种类型结构存在于非立方取向晶粒,可通过晶粒中位错边界的晶体学取向加以区别,另一类型结构存在于立方取向晶粒;晶粒的晶体学取向决定了其形变显微组织类型,但其它冶金学因素对显微组织也有影响.
关键词:
冷轧
,
多晶铜
,
多晶铝
,
显微组织
张进修
,
龚康
,
王晓伟
,
朱震刚
金属学报
doi:10.3321/j.issn:0412-1961.2003.11.024
用内耗频率谱仪测量了多晶铜、纳米晶铜和单晶铜试样的内耗频率谱,在170,320以及490 Hz附近观测到3个明显的共振吸收频率峰.3种试样在晶粒结构上存在极大差别,但其共振吸收内耗峰出现在相同频率范围,这说明产生内耗频率峰的机制与晶体缺陷和晶粒尺度无关,而与材料的晶体点阵性质密切相关.
关键词:
内耗
,
频率谱
,
多晶铜
,
单晶铜
,
纳米晶铜
,
共振吸收
郭振丹
,
王秀芳
,
杨晓萍
,
蒋冬梅
,
马学鸣
,
宋洪伟
金属学报
doi:10.3321/j.issn:0412-1961.2008.08.002
采用纳米压入(nanoindentation)和电子背散射衍射(EBSD)技术对多晶Cu样品多个晶粒进行了微观力学性能表征和晶体取向分析.结果表明,Young's模量随晶粒表面法向方向(hkl)与(111)和(001)最小夹角的变化有明显的规律:(hkl)越接近(111),其Young's模量越大;(hkl)越接近(001),其Young's模量越小;而Young's模量随(hkl)与(110)最小夹角的变化无明显规律.硬度随(hkl)与(111),(110)和(001)最小夹角的变化均无明显规律.通过理论计算讨论了上述规律性.
关键词:
多晶铜
,
晶体取向
,
纳米压入
,
电子背散射衍射
,
Young's模量
,
硬度
范群成
,
柴惠芬
,
仝明信
金属学报
对预变形多晶Cu,在不同载荷下进行拉压对称的恒应力循环试验,比较了不同预变形对其饱和行为及位错组态的影响。结果表明,低应力幅下循环饱和行为仍与历史相关,疲劳后的位错组态具有“继承”性。计算不同载荷下的软化量并外推出疲劳软化门槛,约为流变应力的0.43—0.45左右,其值与低碳钢的几乎相同。本文还描述了循环过程的三个阶段,并对其机理进行了探讨。
关键词:
多晶铜
,
fatigue softening
,
dislocation
张进修
,
龚康
金属学报
用内耗频率谱仪测量了多晶铜、纳米晶铜和单晶铜试样的内耗频率谱,在170,320以及490Hz附近观测到3个明显的共振吸收频率峰,3种试样在晶粒结构上存在极大差别,但其共振吸收内耗峰出现在相同频率范围,这说明产生内耗频率峰的机制与晶体缺陷和晶粒尺度无关,而与材料的晶体点阵性质密切相关.
关键词:
内耗
,
null
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null
,
null
,
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