刘倩
,
张方辉
,
李亚利
,
孟永春
材料导报
用Bridgman法合成SnTe晶体,并用X射线衍射仪测试其显微结构,发现其晶格常数比标准值略小.以制备的晶体为原料用真空蒸镀法制备了银灰色SnTe多晶薄膜,并对薄膜的显微结构、伏安特性及表面形貌进行了研究.结果发现,薄膜上晶粒的生长有一定择优取向,其伏安特性曲线有突变点,通电后薄膜表面的原子形成了团簇.
关键词:
SnTe
,
晶体
,
多晶薄膜
,
显微结构
,
伏安特性
,
表面形貌
高绥宁
,
熊昌民
,
朱美红
,
赵永刚
低温物理学报
doi:10.3969/j.issn.1000-3258.2006.03.011
研究了在不同电流下多晶La0.67Ca0.33MnO3薄膜的电输运特性.观察到电阻随着电流的增大而减小,在多晶样品中当外加电流为1mA时负的电电阻(ER)即达到30％.同时,电流对于磁阻(MR)也有影响.考虑多晶样品中晶界的作用,我们提出了极化电流传输模型,对所观察到的实验现象进行了解释.
关键词:
La0.67Ca0.33MnO3
,
多晶薄膜
,
电流效应
,
非线性I～V特性
付文博
,
刘庭良
,
何绪林
,
张静全
,
冯良桓
,
武莉莉
,
李卫
,
黎兵
,
曾广根
,
王文武
功能材料
对近空间升华制备的CdTe薄膜进行了CdCl2气氛下热处理。测量了样品在室温下的交流阻抗特性,基于恒相位角元件（CPE）等效电路拟合所测量的复阻抗谱,分析了退火工艺对CdTe薄膜的晶粒体电阻、晶界电阻、弛豫时间的影响。结果表明,随退火温度的增加,晶粒电阻增大,晶界电阻减小,弛豫时间缩短。
关键词:
CdTe
,
多晶薄膜
,
交流阻抗
,
晶界
孙震
,
谢晗科
,
狄霞
,
李卫
,
冯良桓
,
张静全
,
武莉莉
,
黎兵
,
雷智
功能材料
采用真空共蒸发法制备了Cd_(1-x)Zn_xS多晶薄膜,研究了Cd_(1-x)Zn_xS(x=0.88)多晶薄膜的结构与光电特性.XRD的结果表明,0＜x≤0.9,Cd_(1-x)Zn_xS薄膜为六方结构,高度择优取向;荧光光谱分析与Vegard定理的结果以及石英振荡法监测的Cd_(1-x)Zn_xS多晶薄膜的组分吻合;制备的Cd_(1-x)Zn_xS多晶薄膜的光学透射谱的吸收边随Zn含量的增加发生蓝移,其光学能隙调制在CdS与ZnS能隙之间;最后测量了Cd_(1-x)Zn_xS薄膜室温电阻率及暗电导率随温度的变化情况,计算了Cd_(1-x)Zn_xS薄膜的电导激活能.
关键词:
Cd_(1-x)Zn_xS
,
多晶薄膜
,
共蒸发
,
光学能隙
,
电导激活能
许岗
,
谷智
,
魏淑敏
功能材料与器件学报
为提高HgI2晶体气相定向生长效果,在ITO导电玻璃上从DSMO-HgI2-H2O溶液中过饱和析出HgI2外延衬底,进而在外延衬底上气相沉积HgI2多晶薄膜并制备了相应的探测器.利用SEM、XRD分析了薄膜的定向生长特性；以241 Am为放射源,在室温下测试了探测器的探测效率.
关键词:
碘化汞
,
多晶薄膜
,
同质外延
,
定向生长
,
探测器
宋慧瑾
,
贺剑雄
,
武莉莉
,
郑家贵
,
冯良桓
,
雷智
无机材料学报
doi:10.3724/SP.J.1077.2009.00517
采用共蒸法制备了新型AlSb多晶薄膜. 通过XRF、XRD、Hall测试及电导率温度关系等研究了AlSb多晶薄膜的组分、结构及性能. 分析表明,刚沉积的AlSb薄膜为非晶相,在540℃以上退火转变为AlSb相,转变的程度取决于退火的温度及Al、Sb的原子配比,其中NAl ∶ NSb为47.2 ∶ 52.8,580℃退火后的薄膜多晶转变最为明显,结晶度较高;测试结果表明,退火后的AlSb薄膜为p型间接带隙半导体,载流子浓度为1019cm-1,吸收系数为104,而且在升降温阶段电导率发生不可逆变化. 这种薄膜用于TCO/CdS/AlSb结构的太阳电池器件中已经得到200mV左右的开路电压.
关键词:
AlSb
,
退火
,
多晶薄膜
,
共蒸发
