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多晶碳化硅的氧化技术研究

李跃进 , 杨银堂 , 贾护军 , 朱作云 , 柴常春

功能材料

本文研究了1050～1250℃温度下干氧和湿氧中多晶sic/si材料的氧化规律,讨论了氧化层厚度与时间、温度、气氛的关系,用Auger电子能谱仪对薄膜成分进行了分析.

关键词: 多晶碳化硅 , 热氧化 , 温度 , 二氧化硅