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不同有源层厚度的多晶硅薄膜晶体管特性研究

李阳

兵器材料科学与工程 doi:10.3969/j.issn.1004-244X.2010.04.002

多晶硅薄膜晶体管(poly-Si TFT)因较非晶硅薄膜晶体管(a-si TFT)相比具有更高的场效应迁移率而成为目前显示界研究的热点.在制备多晶硅薄膜及其TFT器件的过程中,发现不同厚度的多晶硅薄膜具有不同的电学特性.经分析,不同厚度的多晶硅薄膜有源层TFT器件也势必表现出不同的器件电学特性.为此,制备3种多晶硅薄膜有源层厚度的TFT器件,比较且优化器件的各种电学特性-场迁移率、阈值电压、亚阈值幅摆、电流开关比等,最后确定TFT器件有源层的最佳厚度.

关键词: 薄膜晶体管 , 多晶硅薄膜有源层 , 电学特性