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LTPS工艺中光刻胶与膜层粘附力的研究

剧永波 , 陈建军 , 张宸铭 , 简月圆 , 熊正平 , 张龙泉 , 赵东升 , 罗少先 , 刘昊 , 孙宏伟 , 白贺鹏

液晶与显示 doi:10.3788/YJYXS20173203.0190

本文对影响LTPS工艺中光刻胶和衬底间粘附力的4个因素进行了实验及理论分析.经实验发现:衬底的材质和粗糙度以及光刻胶中分子量的分布是影响光刻胶和衬底粘附力的最重要的两个因素.在改善粘附力方面HMDS对于电负性较强的金属衬底和光刻胶的粘附力有较好的改善效果,对于SiNX、A-Si及P-Si衬底改善效果明显,且无差异,对于ITO没有改善.光刻胶涂布后适当延长烘烤时间也可以有效改善光刻胶和衬底的粘附力.

关键词: 粘附力 , 光刻胶 , , , 氧化铟锡 , 多晶硅 , 非晶硅 , 氮化硅

单晶及多晶硅切割废料中的高纯硅回收

郭菁 , 邢鹏飞 , 涂赣峰 , 祁阳

材料科学与工艺

为提高在切割废料中高纯硅的回收率,对沉降方法和条件进行了优化.根据单/多晶硅切割废料浆的物理、化学性质,在m(水)∶m(聚乙二醇)=(8~9)∶1、含有少量无机盐的水溶液体系中,在不同沉降时间和不同固液配比的条件下进行正交试验,通过盐酸、氢氟酸进行除杂,最后在1 500~1 600℃下进行硅的铸锭.通过X射线衍射、元素分析和粒径分析研究沉降条件对于最终回收产物的影响.研究表明:在固液比为0.06、沉降时间5 h的条件下,沉降并经过除杂得到的微粉中硅质量分数达到88.52%,碳化硅质量分数为11.46%,富集的微粉经铸锭得到的硅锭纯度为98.71%,硅的回收率达到43.33%.

关键词: 单晶硅 , 多晶硅 , 切割料浆 , 碳化硅 , 聚乙二醇 , 高纯硅 , 回收

单晶硅和多晶硅切割废料浆的回收

邢鹏飞 , 郭菁 , 刘燕 , 庄艳歆 , 涂赣峰

材料与冶金学报 doi:10.3969/j.issn.1671-6620.2010.02.016

从单晶和多晶硅切割废料浆中综合回收高纯硅、聚乙二醇和碳化硅,对减少环境污染、提高资源利用率有一定意义,特别是如能将切割料浆中最有价值的高纯硅得以回收并再用于制造太阳能电池,这对缓解我国太阳能多晶硅的紧缺、减少多晶硅的进口量有重要意义和商业价值.本文简述了单晶硅和多晶硅的生产概况及其切割工艺,重点阐述了国内外切割料浆的回收进展,综合了国内外现有的回收专利技术,将回收工艺概括为固液分离和固体提纯两个主要步骤,并对每个步骤所采用的方法进行了归纳和分类,以供相关企业参考.同时,本文也介绍了国内现有的切割料浆回收企业的概况,以及目前从切割料浆中回收高纯硅的研究进展.

关键词: 单晶硅 , 多晶硅 , 切割料浆 , 碳化硅 , 聚乙二醇 , 高纯硅 , 回收

硅基单结太阳能电池的制备技术、缺陷及其性能的研究

季鑫 , 杨德仁 , 答建成

材料导报 doi:10.11896/j.issn.1005-023X.2016.03.003

首先综述了硅基单结太阳能电池的分类、制备方法及进展,介绍了化学气相沉积法、液相外延法(LPPE)、金属诱导结晶法(MIC)、磁控溅射法以及分子束外延法等各种硅基太阳能电池的制备方法,阐述了各种制备工艺的优缺点.其次,总结了单晶硅、多晶硅以及非晶硅太阳能电池在组织结构、缺陷方面的研究现状.最后,对硅基太阳能电池的机械、电学、光学以及光电性能等方面的研究进展做了论述.

关键词: 硅基单结太阳能电池 , 制备方法 , 单晶硅 , 多晶硅 , 非晶硅 , 缺陷 , 力学性能

西门子法三氯氢硅氢还原Si-CVD本征动力学模型

吴永 , 王伟 , 刘晓瑞

中国有色金属学报

联系生产实际对西门子法三氯氢硅氢还原反应体系的反应做了归类分析,选用可靠适用的热力学基础数据,设计合理计算方案,计算分析16个反应在反应温度区及附近温度区的吉布斯自由能和标准平衡常数数值,利用反应耦合理论提供了将SiHCl3(g)+H2(g)=Si(s)+3HCl(g)作为主反应的热力学依据,确认该主反应与关键组分SiHCl3(g)的两个热分解生成有Si(s)和SiCl4(g)的反应构成的平行反应为生成Si-CVD的主要反应.在此基础上,应用L-H均匀表面吸附理论,借助非均相气-固相催化反应模型方法,导出该还原Si-CVD过程的本征速率方程-rAs=ksc1cA +ksc2cA2+ksc3cA4,进而线性化变换为等价的拟一级不可逆反应动力学模型-RAS=ksc,djcA,dj(简写为-RAss=kscccA),便于动力学参数测定和后续建立宏观动力学模型.

关键词: 反应工程 , 多晶硅 , 西门子法 , 三氯氢硅氢还原反应 , 化学气相沉积 , 热力学分析 , 本征动力学模型

原子环境对B-O键合特征影响的第一性原理研究

叶飞 , 许斐范 , 刘金美 , 谭毅

材料导报

B和O是太阳能级多晶硅中的主要非金属杂质,它们经常以B-O原子对的形式存在.利用第一性原理计算方法,通过对比B-O对在真空、B2 O3和硅中的键合状态,理解Si环境对B-O键合特征的影响.计算结果表明,在这3种原子环境中,O原子的s和p轨道对键合的贡献都比B原子的s和p轨道大得多.其中,在真空中主要是O的2p轨道参与成键,而在氧化物和硅中O原子的2s轨道和2p轨道都参与成键.在硅中,由于B-O间距较大,以及与Si键合导致B-O键合电子态密度的降低,使B-O对在硅中的结合强度低于在氧化物和真空中.

关键词: 第一性原理 , 多晶硅 , 杂质 , 态密度 , 键合

多晶硅铸锭涂层用高纯Si3 N4微粉的研究进展与展望

袁向东 , 刘利华 , 李俊国 , 张联盟

硅酸盐通报

本文根据国内外高纯氮化硅微粉制备的研究情况,综述了硅粉直接氮化法、硅亚胺热分解法、气相反应法等几种氮化硅粉末的主要制备方法,介绍了各种制备方法在生产多晶硅铸锭涂层用氮化硅微粉的优缺点,并从产品质量、成本等角度分析比较了各种制备方法的特点,指出了制备多晶硅铸锭用氮化硅粉末的主要发展方向.

关键词: 多晶硅 , 氮化硅 , 微粉 , 涂层

多晶硅硅棒裂纹产生原因分析及控制方法

周文韬 , 辜锋 , 何书玉

材料开发与应用

对多晶硅还原工艺中硅芯机加工、硅芯清洗、硅芯安装、还原炉气体置换、硅芯沉积生长过程、以及停炉过程等操作环节中硅棒裂纹产生的原因进行了分析,并提出了硅棒裂纹控制方法.

关键词: 多晶硅 , 还原工艺 , 硅棒裂纹 , 裂纹控制

磁场应用在硅晶体生长过程中的研究进展

张发云 , 罗玉峰 , 李云明 , 王发辉 , 胡云 , 彭华厦

材料导报

论述了磁场技术应用于硅晶体生长中的基本概况,探讨了磁场影响硅晶体生长的机制,重点阐述了各种磁场的分类、基本原理及其在硅晶体生长的应用,并归纳总结了国内外磁场应用于硅晶体生长中的研究现状.另外,对硅晶体生长中杂质的分凝行为和数值模拟作了简要介绍,并展望了磁场应用于硅晶体生长的发展前景.

关键词: 多晶硅 , 磁场 , 杂质 , 分凝行为 , 数值模拟

多晶硅精炼提纯过程中铝硅合金的低温电解分离

李佳艳 , 李超超 , 李亚琼 , 谭毅

材料工程 doi:10.3969/j.issn.1001-4381.2013.11.001

选用AlCl3-NaCl-KCl作为电解液,铝硅合金作为阳极、不锈钢作为阴极,恒电流电解条件下实现了多晶硅精炼提纯中硅铝合金的低温分离.结合扫描电子显微镜、X射线衍射仪等检测手段,研究电解温度、电流密度、电解时间等实验参数对电流效率、沉积铝形貌的影响.研究结果表明:在电流密度为50mA/cm2,电解温度200℃,电解时间60min的条件下,Si-50% Al(质量分数,下同)阳极合金经阳极腐蚀后,阴极电极效率达到最大值93.7%,富硅阳极泥中含有90.4%的多晶硅.

关键词: 精炼 , 多晶硅 , 低温熔盐 , , 分离

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