赵北君
,
朱世富
,
李正辉
,
傅师申
,
于丰亮
,
李奇峰
人工晶体学报
doi:10.3969/j.issn.1000-985X.1999.04.003
本文报道了硒镓银多晶原料合成与单晶生长的新方法--熔体温度振荡法和坩埚旋转下降法.5～6N高纯Ag、Ga、Se单质按AgGaSe2化学配比富0.5%Se配料,1100℃下合成并在熔点附近进行温度振荡,获得了高纯单相致密的AgGaSe2多晶材料.用合成的多晶为原料,采用坩埚旋转下降法生长出φ22×80mm的AgGaSe2单晶锭.晶体外观完整,在10.6μm附近红外透过率达62.4%,吸收系数低于0.01cm-1,对10.6μm CO2激光实现倍频,能量转换效率达12%.
关键词:
非线性光学晶体
,
硒镓银
,
多晶合成
,
单晶生长
,
熔体温度振荡
,
坩埚旋转下降法
张伟
,
朱世富
,
赵北君
,
张建军
,
刘敏文
,
李一春
人工晶体学报
doi:10.3969/j.issn.1000-985X.2005.03.027
在同一安瓿中一次性合成、生长出了外形完整、无裂纹的AgGaS2单晶体,尺寸达φ10mm×20mm.并进行了X射线能谱元素分析,测定了AgGaS2多晶粉末衍射谱,以及单晶体的红外透射谱,同时得到了(112)、(024)面的X射线单晶衍射谱,结果表明生长的单晶体可用于器件研究.
关键词:
硫镓银
,
多晶合成
,
单晶生长
,
坩埚下降法
杨慧光
,
朱世富
,
赵北君
,
赵欣
,
何知宇
,
陈宝军
,
孙永强
人工晶体学报
ZnGeP2多晶的合成是其单晶生长的前提和基础,多晶材料的质量是生长高质量单晶的关键.因此,要获得高质量的ZnGeP2单晶体,必须提供高质量的ZnGeP2多晶材料.对两温区气相输运机械振荡法合成ZnGeP2多晶材料的工艺进行了研究,利用高纯(6N)P、Ge、Zn单质为原料,采用两温区气相输运和机械振荡合成出了ZnGeP2多晶材料.合成出的多晶材料经比重测试和X射线粉末衍射测试证明与标准值一致.采用改进的布里奇曼法生长出外观完整、无裂纹的φ15 mm × 25 mm单晶体,在2.5～10 μm范围内红外透过率达50%以上.
关键词:
三元化合物
,
磷锗锌
,
多晶合成
,
气相输运
,
机械振荡
朱兴华
,
赵北君
,
朱世富
,
金应荣
,
赵欣
,
杨晓龙
人工晶体学报
doi:10.3969/j.issn.1000-985X.2005.01.006
本文以高纯Pb、I2单质为原料,在特殊设计的密闭石英安瓿中,采用两温区气相输运方法成功合成出PbI2多晶原料,避免了安瓿的爆炸.以此为原料,用垂直Bridgman法生长出尺寸为φ15mm×30mm的PbI2单晶锭.该晶锭外观完整、呈橙黄色、半透明状,其电阻率为1010Ω·cm量级,X射线衍射分析获得了(001)面的四级衍射谱,表明该晶体是结构完整的单晶体,可用于探测器的制作.
关键词:
PbI2
,
多晶合成
,
两温区气相输运方法
,
单晶生长
,
垂直Bridgman法
杨辉
,
朱世富
,
赵北君
,
陈宝军
,
何知宇
,
樊龙
,
刘光耀
,
王小元
人工晶体学报
采用离子型化合物函数模型,对CdSia2多晶合成过程的反应焓、熵、Gibbs自由能以及化学平衡常数等热力学参数进行了计算,在1473 K合成CdSiP2多晶时,系统的焓变△rHT ＜0,熵增加值△rSr为负,Gibbs自由能△rGT=-29.68 kJ/mol,平衡常数KT=11.289.结果表明:在1473 K合成CdSiP2多晶,化合反应速率很大,反应充分,产物生成率高,系统趋于稳定.根据计算结果提供的温度1473 K进行CdSiP2多晶合成实验,获得了外观呈紫红色,完整致密的多晶锭,经X射线衍射和光电子能谱分析表明,合成产物为高纯、单相的CdSiP2多晶材料.采用合成的多晶料为原料进行单晶生长,获得了结晶性较好的CdSiP2单晶体.
关键词:
CdSiP2
,
热力学参数
,
多晶合成
,
单晶生长
徐朝鹏
,
王倩
,
张磊
,
陈飞鸿
,
王永贞
,
纪亮亮
人工晶体学报
以高纯I2(5N)和In(7N)为原料,采用两温区气相输运法制备了InI多晶料,研究了高纯InI多晶合成工艺.用X射线粉末衍射(XRD)方法对合成的InI多晶进行结构测定,用扫描电子显微镜-X射线能量色散谱仪(SEM-EDS)对其成分进行分析,用等离子体原子发射光谱仪(ICP-AES)对其组成的元素进行痕量测定.研究结果表明:合成的InI多晶料晶格结构完整,纯度高,晶格参数为a=0.476 nm,b=1.278 nm,c =0.491 nm,且碘和铟比例接近1∶1.
关键词:
碘化铟
,
多晶合成
,
两温区气相输运法
,
结构分析
王善朋
,
刘贯东
,
施琼
,
张国栋
,
阮华棚
,
高泽亮
,
董春明
,
陶绪堂
人工晶体学报
采用直接合成方法无法得到纯相的碲镓锂( LiGaTe2)多晶原料,因此提出了两步合成法进行LiGaTe2多晶原料合成,即先合成二元相Ga2Te3,再以Ga2Te3、Li、Te为原料按化学计量比配料在较低温度(850℃)下合成纯相的碲镓锂多晶料,并对具体的反应机理进行了讨论.对所得碲镓锂多晶料进行了XRD分析,结果显示合成的多晶为单相高纯LiGaTe2.差示扫描量热分析(DSC)表明,LiGaTe2的熔点为674.78℃.初步开展了LiGaTe2晶体的生长研究,对晶体生长结果进行了探讨.
关键词:
碲镓锂
,
多晶合成
,
晶体生长
,
中红外非线性光学晶体
黄毅
,
赵北君
,
朱世富
,
刘娟
,
张建军
,
朱伟林
,
徐承福
人工晶体学报
doi:10.3969/j.issn.1000-985X.2006.01.011
采用高纯(99.9999%)Ag、Ga、In和Se单质为原料,按化学计量比富Se0.3～0.5%配料,通过机械振荡和温度振荡相结合的方法合成出单相高致密AgGa1-xInxSe2多晶材料.以此为原料采用布里奇曼法生长出外观完整的尺寸为φ15mm×25mm的AgGa1-xInxSe2单晶锭(x=0.2).沿自然显露面对晶体进行了解理和X射线衍射分析,发现该面是(101)面.同时进行了红外透过率测试,其红外透过率为41%.
关键词:
红外非线性光学晶体
,
AgGa1-xInxSe2
,
多晶合成
,
单晶生长
,
布里奇曼法
,
X射线衍射
吴海信
,
王振友
,
倪友保
,
耿磊
,
毛明生
,
黄飞
人工晶体学报
本文直接使用高纯Ag,Ga,Ge,S单质作为原料合成AgGaGeS4多晶.为防止S蒸气高压使多晶合成管炸裂,采用双温区气相输运的合成方法.对合成的多晶作粉末衍射(XRD)分析,衍射图谱与标准JC-PDF卡片上峰值位置一致,表明样品为高纯单相AgGaGeS4多晶.使用该多晶原料成功生长出了优质单晶,并对合成工艺中存在的关键问题进行了讨论.
关键词:
AgGaGeS4
,
多晶合成
,
二温区
,
气相输运
朱兴华
,
赵北君
,
朱世富
,
于丰亮
,
邵双运
,
宋芳
,
高德友
,
蔡力
人工晶体学报
doi:10.3969/j.issn.1000-985X.2001.01.009
采用二温区气相输运温度振荡方法合成了高纯单相致密的AgGaS2多晶，计算出晶格常数a＝5.7535nm,c＝10.3008nm，以及S原子位置x＝0.279，与PDF值相差很小，表明其是高质量的多晶原料。以此为原料用改进Bridgman法生长出直径15mm长度30mm的单晶体，经外形观测、解理试验和X射线衍射分析表明其是结晶完整的单晶体。
关键词:
AgGaS2
,
多晶合成
,
单晶生长
,
二温区气相输运温度振荡方法
,
改进Bridgman法
,
结晶完整
