李波
,
张树人
,
钟朝位
材料研究学报
doi:10.3321/j.issn:1005-3093.2008.04.019
研究了BaTiO03-R2O3-MgO(R=La,Ce,Pr,Nd,Sm,Gd,Dy,Ho,Y,Er,Yb)系介质的稀土掺杂效应.结果表明,大半径稀土离子在BaTiO3中形成元素均匀性分布,并促进晶粒的长大;而小半径稀土离子能产生明显的细晶效应,在晶界局部富集而偏析出现焦绿石型第二相晶粒R2Ti2O7.随着镧系收缩,稀土掺杂BaTiO3陶瓷的绝缘电阻率明显提高,而稀土离子在BaTiO3中的固溶度大致呈降低趋势.大半径稀土掺杂材料的ε-T曲线呈现单峰效应且居里点下移,而小半径稀土掺杂材料为双峰效应且居里点上升,△C/C-T稳定性显著提高达到X8R.
关键词:
无机非金属材料
,
钛酸钡
,
稀土氧化物
,
多层陶瓷电容器
,
微区分布
,
第二相
,
固溶度
王升
,
周晓华
,
张树人
,
李波
,
陈祝
无机材料学报
提出了一种制备抗还原BCTZ系陶瓷材料的新工艺. 采用溶胶-凝胶法在500～800℃下合成复合氧化物掺杂剂, 此掺杂剂与水热法合成的超细(Ba1-xCax)(Ti1-yZry)O3粉体混合球磨可得抗还原介质瓷料, 该瓷料可在还原性气氛中烧成适用于贱金属电极的, 具有高介电常数和低介质损耗的多层陶瓷电容器陶瓷材料. 本文讨论了复合氧化物掺杂剂的合成温度、陶瓷烧结温度和退火时间等工艺参数对陶瓷介电性能和微结构的影响. 研究表明, 在低温下合成的纳米颗粒的复合氧化物掺杂剂(纳米掺杂剂)很适合超细瓷料的掺杂改性. 在500～800℃内, 复合氧化物掺杂剂的合成温度升高将导致BCTZ系陶瓷的居里点、介质损耗和介电常数最大值的降低.对陶瓷烧结工艺的研究表明, 采用此新工艺可获得符合Y5V标准的BCTZ系抗还原介质陶瓷, 其室温相对介电常数不小于18000, 介质损耗低于0.7%, 绝缘电阻率达到1012Ω·cm, 居里点在5～20℃之间可调, 平均晶粒尺寸GAV小于4μm. 该新工艺可望用于大容量Y5V镍内电极多层陶瓷电容器的生产.
关键词:
多层陶瓷电容器
,
BCTZ ceramics
,
complex oxide dopants
,
sol-gel
,
dielectric properties
,
annealing
熊育飞
,
周大利
,
杨为中
,
胡曰博
,
郭靖
,
尹光福
稀有金属材料与工程
论述了碳酸盐共沉淀法制备多层陶瓷电容器(MLCC)用钛酸钡超微粉的新工艺.原料采用TiCl4和BaCl2,以(NH4)2CO3+NH3·H2O作为沉淀剂,对TiCl4浓度、沉淀反应温度、反应物钡钛比、煅烧温度等因素对钛酸钡超细粉理化指标的影响进行了系统研究,并将所制粉体用于制备X7R型MLCC瓷料.结果表明:在控制(NH4)2CO3/BaCl2(摩尔比)=1.2、体系终点pH＞9、TiCl4/BaCl2(摩尔比)=1～1.02,TiCl4浓度为0.6 mol/L、沉淀温度为20℃、煅烧温度为1020℃、煅烧时间为1.5h的条件下,可以制得粒径在0.1μm～0.3μm之间的钛酸钡超细粉,所制备X7R型MLCC瓷料的瓷片介电性能为:ε25=3200～3700,tgδ=0.7×10-2,△C/C(-55℃～125℃)≤14%,ρ≥1012Ω·cm.
关键词:
多层陶瓷电容器
,
钛酸钡
,
共沉淀法
,
陶瓷
,
制备
欧余智
,
周大利
,
吴晓霞
,
杨为中
,
蔡小先
,
熊仁金
硅酸盐通报
采用溶胶-凝胶法及超临界干燥技术按多层陶瓷电容器磁粉添加剂配方比例制备Bi、Sr、Ce、Mn和Si的化合物纳米复合粉.以DTA、SEM、XRD等检测方法对纳米复合粉的表面形貌、粒度、晶相组成等进行表征.研究结果表明:温度为50℃,pH值为-0.25,H2O/TEOS=9/1(V/V),并加入占TEOS体积5%的硅烷偶联剂KH570,可以制备得到复合物体系的稳定凝胶.以无水乙醇为超临界萃取剂,进行超临界干燥,煅烧温度约高于700℃,得到分散性较好的纳米复合粉体,粉体一次颗粒径约为40～60hm,粉体形貌近似球型.复合粉的主要晶相为Bi2SiO5、CeO2和sr2Mn205.
关键词:
多层陶瓷电容器
,
纳米复合粉
,
表面改性
,
超临界干燥
杜旻
,
袁颖
,
张树人
,
杨林波
,
李言荣
功能材料
对三元系统BaTiO3(BT)-Bi0.5Na0.5TiO3(BNT)-BiNbO4的微结构和介电性能进行了研究.1%(摩尔分数) BNT掺杂使BT的居里温度由127℃大幅提高到140℃.BiNbO4掺杂显著降低了高温端的电容温度变化率,相反低温端的电容温度变化率升高.掺杂3%～4%(摩尔分数)BiNbO4的BT陶瓷满足X8R特性.烧结温度过高时,居里峰明显被抑制,居里温度向低温移动,而低温介电峰向高温移动.SEM结果表明,1%(摩尔分数)BiNbO4掺杂时,陶瓷晶粒细小且尺寸均匀.BiNbO4含量增大,陶瓷内部出现异常生长的第二相晶粒,且第二相比例随BiNbO4含量增加而增大.XRD分析表明,基质晶粒为BaTiO3,第二相包括Ba2TiO4、NaBiTi2O6及BaTiNb4O13.
关键词:
钛酸钡
,
铌酸铋
,
X8R
,
多层陶瓷电容器
刘波
,
庄志强
,
苏瑫珑
材料导报
多层陶瓷电容器(MLCCs)体现了电子元器件小型化、复合化、低成本、高可靠性的发展趋势.BME(BaseMetal Electrode)技术的发展促进了Ni内电极MLCCs的生产和应用.为了适应贱金属Ni内电极MLCCs还原气氛烧结需要,对介质瓷料提出了抗还原性要求,使其具有高的绝缘电阻率和长的工作寿命.综述了BaTiO3基介质瓷料的抗还原性措施,涉及电子缺陷浓度的降低以及氧空位缺陷迁移的抑制,并利用缺陷化学阐述了其A位施主和B住受主掺杂的改性机理.
关键词:
钛酸钡
,
多层陶瓷电容器
,
贱金属内电极
,
还原气氛
,
缺陷化学
贺小塘
,
白钧
,
杨文刚
,
赵云昆
稀有金属
doi:10.3969/j.issn.0258-7076.1998.01.007
研究了从多层陶瓷电容器 (MLCC) 废料中回收银、钯的方法, 200目的废料用4 mol/L HNO3在80℃下浸出2 h (液固比3), 银、钯浸出率分别为91%和98%. 用盐酸从浸出液中沉淀银, 氯化银经熔炼得到98%粗银锭, 银回收率为88%, 用铁粉和丁基黄药分别从沉银母液和浸出渣洗水中置换、沉淀钯, 用传统精炼钯的方法得到99.95% Pd, 钯回收率为95%.
关键词:
多层陶瓷电容器
,
银
,
钯
,
回收
胡敏艺
,
周康根
,
王崇国
,
徐锐
材料导报
多层陶瓷电容器(MLCC)的重要发展方向之一是电极贱金属化,铜粉是一种较为理想的电极制作材料.介绍了MLCC电极铜粉制备和铜粉改性的研究现状,指出今后应加强对铜粉粒径控制技术和抗氧化性的研究.
关键词:
多层陶瓷电容器
,
铜粉
,
粒径
,
抗氧化
陈祥冲
,
黄新友
材料导报
经过30多年的发展,贱金属内电极多层陶瓷电容器(BME-MLCCs)已经成为多层陶瓷电容器的主流产品.简要论述国内外对贱金属内电极多层陶瓷电容器研发状况和研究方向,重点介绍镍内电极多层陶瓷电容器发展历程,并且指出我国BME-MLCCs行业存在的问题和发展方向.
关键词:
多层陶瓷电容器
,
贱金属内电极
,
发展历程
,
研究方向
李龙土
硅酸盐通报
doi:10.3969/j.issn.1001-1625.2005.05.019
介绍铁电、压电等功能陶瓷及其片式元件应用研究的若干新进展.基于过渡液相烧结机制的高性能压电陶瓷材料具有低烧结温度、高压电常数和低介质损耗等诸多优点.低烧多层压电变压器(MPT)以其低驱动电压、小体积、高升压比、薄型片式化等优点在液晶显示背光电源等方面获得应用.多层压电变压器及其背光电源具有高功率密度、高转换效率、薄型化和低成本等特点.基于缺陷化学原理和无晶粒长大的致密化烧结动力学,制备了亚微米/纳米晶钛酸钡基陶瓷及其薄层化贱金属内电极MLCC.研制了低烧铁氧体材料及其片式电感器.介绍了压电陶瓷超声微马达的结构与特性.
关键词:
铁电陶瓷
,
压电陶瓷
,
铁氧体
,
多层陶瓷电容器
,
多层压电变压器
