蒋稳
,
邹宇
,
伍建春
,
展长勇
,
朱敬军
,
安竹
,
杨斌
,
黄宁康
功能材料
doi:10.3969/j.issn.1001-9731.2013.15.020
采用电化学刻蚀方法,在n型高阻单晶硅片上进行有序多孔阵列的制备.就腐蚀液配方的改变对制备的多孔阵列结构的形貌进行观察研究.研究表明,在其它相同的实验条件下,改变组元乙醇的比例,制备的多孔阵列结构形貌会有显著的差别.随着腐蚀液中组元乙醇含量的减小,制备的多孔阵列结构中的孔的表面及断面形貌逐渐显得光滑、平整.当改变腐蚀液配方中的HF浓度时,制备的多孔阵列结构中的孔的大小及深度也随之改变,对此的机制进行了探讨.
关键词:
中子探测器
,
电化学刻蚀
,
多孔硅阵列
,
形貌
陈少强
,
朱建中
,
朱自强
,
邵丽
,
王伟明
,
郁可
功能材料与器件学报
doi:10.3969/j.issn.1007-4252.2004.01.014
介绍一种在低阻P型硅衬底上用氢离子注入技术形成局部高阻硅掩膜,用电化学腐蚀选择性生长多孔硅微阵列的工艺流程.结果证明,用高阻硅掩膜选择性生长多孔硅具有很好的掩蔽效果,生成的多孔硅阵列的有序性和完整性良好.
关键词:
多孔硅阵列
,
选择性生长
,
高阻硅掩膜
