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阳极氧化条件对多孔硅冷阴极场发射特性的影响

丁邦建 , 王维彪

液晶与显示 doi:10.3969/j.issn.1007-2780.2000.04.006

研究了多孔硅的制备条件对多孔硅冷阴极场发射特性的影响，实验表明多孔硅的制备条件如电解电流密度、电解时间等对多孔硅冷阴极的场发射特性有较大的影响。

关键词: 阳极氧化 , 场发射 , 多孔硅冷阴极