董捷
,
胡小波
,
徐现刚
,
王继扬
,
韩荣江
,
李现祥
人工晶体学报
doi:10.3969/j.issn.1000-985X.2004.06.009
我们采用高分辨X射线衍射法对SiC单晶片中的多型结构进行了研究,研究发现在以4H-SiC为籽晶的晶体生长过程中,4H-SiC、6H-SiC、15R-SiC出现两相共存或三相共存现象.在单相、两相或三相共存区,X射线摇摆曲线具有明显不同的特征.根据多型结构,可以对摇摆曲线中的衍射峰进行鉴定.
关键词:
碳化硅
,
多型
,
高分辨X射线衍射仪
,
摇摆曲线
李现祥
,
胡小波
,
董捷
,
姜守振
,
李娟
,
陈秀芳
,
王丽
,
徐现刚
,
王继扬
,
蒋民华
人工晶体学报
doi:10.3969/j.issn.1000-985X.2006.01.009
本文模拟了升华法生长6H-SiC单晶的不同温度场,并进行了相应的生长实验.结果表明:改变石墨坩埚和感应线圈的相对位置,可以改变温度场形状;下移石墨坩埚;可以增大温度场径向温度梯度.在不同的径向温度梯度下,6H-SiC晶体分别以凹界面、平界面和凸界面生长.晶体生长界面的形状和速率影响晶体多型的产生,在平界面,生长速率小于300μm/h的晶体生长条件下,可获得无多型的高质量6H-SiC单晶.
关键词:
温度场
,
6H-SiC单晶
,
径向温度梯度
,
多型
李现祥
,
李娟
,
董捷
,
王丽
,
姜守振
,
韩荣江
,
徐现刚
,
王继扬
,
胡小波
,
蒋民华
功能材料
利用升华法在高温低压下生长大直径SiC单晶.通过实验发现:在相同的轴向温度梯度下,SiC晶体平均生长速率随籽晶温度的升高而变大.通过减小轴向温度梯度,降低晶体生长界面的径向过饱和度分布,可以抑制多型的生长.通过优化温场的径向温度梯度,利用φ50mm的籽晶进行生长,得到了φ57mm的SiC单晶,实现了晶体的扩径生长.
关键词:
SiC单晶
,
温度及温度梯度
,
生长速率
,
多型
,
扩径生长
郭啸
,
刘学超
,
忻隽
,
杨建华
,
施尔畏
无机材料学报
doi:10.3724/SP.J.1077.2012.00609
采用物理气相传输法(Physical Vapor Transport,PVT)沿[0001]方向生长了一个直径为2英寸的氮掺杂6H-SiC晶体.采用拉曼面扫描方法对晶体中多型的分布进行了细致表征,研究了SiC晶体生长过程中多型的产生和演化.在6H-SiC晶体中观察到了15R-SiC和4H-SiC两种多型.在拉曼面扫描得到的晶体多型分布图上观察到了两类次多型结构区域,一类是继承其生长界面上对应的次多型结构形成的次多型结构区；另一类是由温度、压力等生长条件波动导致在6H-SiC主多型中出现的15R-SiC多型结构区.第一类次多型结构区中掺入的氮元素较多,载流子浓度较高,并且随着晶体生长不断扩大;第二类次多型结构区对晶体结晶质量的影响较小,且提高生长温度可以抑制15R-SiC多型结构.
关键词:
拉曼
,
碳化硅
,
多型
,
面扫描
