胡晓琳
,
陈建中
,
庄乃锋
,
兰建明
,
赵斌
人工晶体学报
doi:10.3969/j.issn.1000-985X.2001.04.007
本文采用动态循环观察法测量了RHSe晶体在水溶液中不同过饱和度下主要显露晶面的生长速率.结果表明,RHSe晶体主要显露晶面的生长机制是多二维成核生长机制,在饱和点为38.00℃的溶液中,RHSe晶体的{111}和{101}晶面的临界过饱和度分别为1.01%和1.16%.实验过程中还发现,当过饱和度大于1.76%时,晶体生长速率太快而出现宏观缺陷,因而在生长RHSe单晶时,过饱和度应控制在1.76%以下.
关键词:
电光晶体
,
生长动力学
,
硒酸氢铷
,
多二维成核生长
