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钙钛矿结构La0.7Ca0.3MnO3-δ外延薄膜中氧的扩散

宋现锋 , 马玉彬 , 连贵君 , 熊光成

低温物理学报 doi:10.3969/j.issn.1000-3258.2003.03.001

利用脉冲激光淀积方法,我们制备了外延La0.7Ca0.3MnO3-δ薄膜.实验发现,在30Pa氧分压下制备的薄膜晶格中仅有少量氧空位.可以通过高真空条件下的热处理(热处理温度为780℃)减少样品晶格中的氧含量.室温X射线衍射分析表明,在780℃通过高真空热处理的La0.7Ca0.3MnO3-δ外延薄膜结构不发生改变.通过延长高真空热处理时间可以逐渐减少外延薄膜样品晶格中的氧含量,这反映在样品晶格常数有系统变化及样品绝缘体-金属(I-M)转变温度降低.对样品电阻率-温度曲线的拟合表明,样品晶格中的氧含量是均匀的,这与X射线衍射分析的结果是一致的.通过长时间高真空条件下的热处理可以使样品的I-M转变温度低于10K,而短时间氧气氛中的充氧热处理可以使转变温度回复.这说明样品晶格中的氧扩散出和充入是有区别的.在同一外延薄膜样品可以反复通过高真空条件下的高温脱氧热处理和充氧热处理来改变样品中氧含量,这将方便于将薄膜性能与氧含量的关系进行比较、分析和讨论.

关键词: 巨磁电阻 , 氧化物薄膜 , 外延薄膜 , 氧扩散 , LaCaMnO

人工晶体发展动向的探讨

蒋民华

人工晶体学报 doi:10.3969/j.issn.1000-985X.2002.03.001

本文评述了人工晶体在体块大单晶生长、薄膜的外延生长,微结构和光子晶体、微米晶和纳米晶等方面的新近发展,并对未来的智能晶体进行了讨论.

关键词: 人工晶体 , 外延薄膜 , 微/纳米晶 , 智能晶体

(K,Na) NbO3基无铅压电薄膜的制备与表征

李元行 , 陈峰 , 高关胤 , 徐浩然 , 吴文彬

低温物理学报

我们采用脉冲激光沉积法,在SrTiO3(001)衬底上以La0.7Sr0.3 MnO3作为底电极,制备得单相的0.95(Na0.49K0.49Li0.02) (Nb0.8Ta0.2)-0.05CaZrO3外延薄膜.采用X射线衍射、X射线光电子能谱,电滞回线和介电常数测试分别表征了LKNNT-CZ薄膜的微观结构、表面元素价态和铁电/介电性能.结果表明:(1)制备得到的LKNNT-CZ薄膜的元素组成与靶材相同;(2)在4伏到10伏内均可以获得线型良好且饱和的电滞回线,当驱动电压为10V时,薄膜的剩余极化达到12.4 μC/cm2,矫顽电场为102.3 kV/cm;(3)薄膜在1 kHz频率下的介电常数高达1185.

关键词: 无铅压电 , 铌酸钾钠 , 外延薄膜 , 介电性质

氧缺陷导致的结构无序对La2/3Sr1/3MnO3薄膜电输运特性的影响

张世龙 , 张金仓 , 冯振杰 , 姚雪灿 , 贾蓉蓉 , 敬超 , 曹世勋

低温物理学报

为了澄清结构无序对电输运特性,特别是低温下电阻极小的影响,采用脉冲激光沉积方法在LalO3(100)基片上制备了两类La2/3Sr1/3MnO3薄膜.一块是在通40Pa氧气的气氛下沉积,沉积后不再进行通氧气的原位退火.另一块在同样通40Pa氧气的气氛下沉积,但沉积后再在6×104Pa的氧气气氛下进行原位退火.对两种薄膜的结构,磁特性和电输运特性进行了对比研究.结果表明:氧缺陷导致了薄膜结构的无序,更导致了类似自旋玻璃行为的磁无序.电输运特性结果表明原位退火使得薄膜的金属一绝缘体转变温度Tc从约195K提高到335K.对由于结构无序的存在对低温电阻较小行为的影响作了系统对比研究,曲线拟合的结果表明对于缺氧薄膜和进行了原位退火的薄膜的低温电阻较小行为的主要影响因素分别是类近藤散射作用和电子一电子相互作用,这一结果对于澄清庞磁电阻锰氧化物体系的低温电阻极小现象有一定积极意义.

关键词: 锰氧化物 , 外延薄膜 , 结构无序 , 电阻极小

La0.5Sr0.5CoO3/Pb(Zr0.4Ti0.6)O3/La0.5Sr0.5CoO3铁电电容器的结构和性能研究

陈江恩 , 刘保亭 , 孙杰 , 郭延岭 , 马蕾 , 娄建忠 , 彭英才

人工晶体学报

采用磁控溅射法和脉冲激光沉积法,在SrTiO3(001)衬底上制备了La0.5Sr0.5CoO3(70 nm)/Pb(Zr0.4Ti0.6)O3(70 nm)/La0.5Sr0.5CoO3(70 nm) (LSCO/PZT/LSCO)铁电电容器异质结.X射线衍射结果表明:LSCO和PZT薄膜均为外延结构.在5 V的外加电压下, LSCO/PZT/LSCO电容器具有较低的矫顽电压(0.49 V),较高的剩余极化强度(41.7 μC/cm2 )和较低的漏电流密度(1.97×10-5 A/cm2),LSCO/PZT/LSCO电容器的最大介电常数为1073.漏电流的分析表明:当外加电压小于0.6 V时,电容器满足欧姆导电机制;当外加电压大于0.6 V时,符合空间电荷限制电流(SCLC)导电机制.

关键词: 铁电电容器 , PZT , 外延薄膜 , 导电机制

La0.7Sr0.3MnO3外延膜缺陷性质的慢正电子束研究

金绍维 , 顾伟伟 , 周先意 , 吴文彬 , 翁惠民 , 朱长飞 , 叶邦角 , 韩荣典

低温物理学报 doi:10.3969/j.issn.1000-3258.2004.02.003

用单能慢正电子束,测量了不同氧分压下生长的La0.7Sr0.3MnO3外延膜的S参数与入射正电子能量E的关系.结果发现La0.7Sr0.3MnO3外延膜中S参数与氧分压是非单调变化的;这与沉积氧分压的两种作用相关联的.在氧分压较高的LSMO薄膜中, 空位浓度的增加主要是由沉积原子(离子)与氧原子碰撞几率增大,使其缺乏足够的动能去填补空位引起的;在低氧分压的LSMO薄膜中, 空位浓度的增大则主要是提供成膜所需要的氧原子缺乏,从而导致氧空位及其相关缺陷增加.

关键词: 缺陷性质 , 外延薄膜 , 增电子湮灭

共格外延的La0.7Sr0.3MnO3薄膜的应变弛豫

单会会 , 缪凯 , 杨昊 , 金绍维

低温物理学报

厚度为7~100 nm La0.7Sr0.3MnO3(LSMO)薄膜是由脉冲激光法生长在(001)(LaAlO3)0.3(Sr2AlTaO6)0.7(LSAT)衬底上,薄膜的结构演变是由高分辨X-射线ω-摇摆曲线及倒易空间(103)反射来表征,我们的结果表明所有的LSMO薄膜是共格生长在LSAT(001)上,对厚度大于(或等于)22 nm的LSMO薄膜既显示可调制的单斜(MA)结构,也包含切应变弛豫诱导的有序畴结构和平面内超格子,薄膜的厚度依赖的结构畴宽,以及切应变对薄膜居里温度Tc的影响被仔细研究,作为对比,晶格失配对LSMO薄膜中周期畴形成的影响也被讨论.

关键词: 外延薄膜 , 切应变弛豫 , 周期畴结构

沉积温度对LaNiO3薄膜结构和性能的影响

刘保亭 , 武德起 , 闫正 , 乔晓东 , 赵庆勋 , 王英龙

人工晶体学报 doi:10.3969/j.issn.1000-985X.2006.02.016

采用磁控溅射法在(001)SrTiO3 基片上制备了LaNiO3氧化物薄膜,应用X射线衍射(XRD)、反射式高能电子衍射(RHEED)、原子力显微镜(AFM)、四探针测试仪等技术系统研究了沉积温度对LaNiO3薄膜结构和性能的影响.结果表明在较低的生长温度和较宽的温度范围内(250~400℃)都能得到外延LaNiO3薄膜.输运性质的测量结果表明在其它条件不变的情况下,250℃温度下生长的LaNiO3薄膜具有最高的电导率.

关键词: LaNiO3 , 外延薄膜 , 磁控溅射

沉积温度对磁控溅射生长SrRuO_3薄膜结构和性能的影响

王宽冒 , 张沧生 , 李曼 , 周阳 , 王玉强 , 王侠 , 彭英才 , 刘保亭

人工晶体学报

采用射频磁控溅射法在(001)SrTiO_3基片上制备了SrRuO_3薄膜,采用X射线衍射(XRD)、原子力显微镜(AFM)、四探针测试仪等分析方法系统研究了沉积温度对SrRuO_3薄膜结构、表面形貌及输运性质的影响.实验结果表明:当生长温度低于550 ℃时,SrRuO_3薄膜为多晶结构;当温度在550~650 ℃范围内变化时,SrRuO_3薄膜可以在SrTiO_3基片上外延生长,薄膜的最低电阻率约为0.5 mΩ·cm.

关键词: SrRuO_3 , 磁控溅射 , 外延薄膜

外延薄膜X射线表征方法的新进展

杜晓松 , 杨邦朝

功能材料

对X射线倒易空间图技术(RSM)及X射线反射技术(XRR)的原理及其在外延薄膜表征方面的应用进行了介绍.RSM主要用于表征外延薄膜的应变、弛豫、马赛克缺陷、倾斜等微观缺陷,因为这些缺陷在倒空间中按不同的方向展宽.而XRR主要用于模拟薄膜的厚度、粗糙度、密度及深度分布.

关键词: 倒易空间图 , X射线反射谱 , 外延薄膜

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