王少勇
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吴爱祥
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尹升华
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缪秀秀
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胡凯建
中国有色金属学报
基于电渗理论,提出利用外加直流电场强化细粒散体浸堆中溶浸液渗流的方法,通过实验研究与机理分析探讨电场作用对细粒散体渗透特性的影响.结果表明:电场作用能够降低双电层厚度,使渗流通道的截面积增加,溶液渗流阻力降低,溶浸液的渗流速度增大;其次,电场对颗粒微孔隙间及渗流盲区的毛细水起到电渗驱动作用,促进不动液的流动;浸堆的渗透系数随着电场强度的增大先增加后降低,高电场强度下容易发生电解现象及电渗固结现象,存在能够使渗流系数达到极值的最优电场强度;颗粒粒径越小,最优电场强度越低,浸堆的导电能力就越好,电场作用对浸堆的渗透性影响越明显,渗透系数的增加幅度随着颗粒粒径的减小呈指数增加趋势.
关键词:
外加电场
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细粒散体
,
电渗理论
,
渗透性
于灵敏
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范新会
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刘建刚
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刘春霞
,
严文
材料导报
主要介绍用物理热蒸发法制备硅纳米线阵列,借助扫描电子显微镜(SEM)、X射线能谱分析仪(EDX)和透射电子显微镜(TEM)观察硅纳米线的形貌,分析其化学成分及晶体结构,研究非晶硅纳米线在外加电场下的生长过程,讨论外加电场对非晶硅纳米线定向排列生长的影响以及铜粉在其中起的作用.
关键词:
硅纳米线
,
定向排列
,
外加电场
,
带电团簇模型
于灵敏
,
祁立军
,
范新会
,
严文
,
朱长纯
机械工程材料
doi:10.3969/j.issn.1000-3738.2006.07.020
在外加电场的条件下利用物理热蒸发法成功制备出CdS纳米线阵列、纳米带和纳米管,纳米线阵列沿平行于电场方向生长.借助SEM、EDX和TEM以及XRD,研究了外加电场对CdS纳米线生长的影响.结果表明:外加电场大大促进了CdS纳米线定向排列生长;但是,低温区获得的CdS纳米带和纳米管没有任何方向性.
关键词:
CdS纳米线
,
纳米带
,
纳米管
,
外加电场
鲁雄刚
,
梁小伟
,
袁威
,
孙铭山
,
丁伟中
,
周国治
金属学报
doi:10.3321/j.issn:0412-1961.2005.02.001
通过在铜液与Na3AlF6-Al2O3渣系间施加稳定的直流电场,进行了铜液的无污染脱氧研究.实验结果表明,外加直流电场法可快速、有效地将铜液中的溶解氧脱除到10×10-6左右.描述电场作用下氧离子在渣金间传递的模型计算与实验结果十分吻合.根据实验结果,对外加电场脱氧的反应机理进行了讨论和分析.该方法避免了氧化物夹杂对金属液的污染以及固体电解质脱氧方法的高成本和二次氧化等问题.
关键词:
铜液
,
脱氧
,
外加电场
,
渣金反应
于灵敏
,
祁立军
,
范新会
,
刘建刚
,
严文
机械工程材料
doi:10.3969/j.issn.1000-3738.2005.04.008
在外加电场的条件下,利用物理热蒸发法制备出定向排列的非晶硅纳米线,借助扫描电镜、X射线能谱分析仪和透射电镜等对硅纳米线进行了研究.结果表明:定向排列的硅纳米线以两种形式存在,一种是分散的平行排列,另一种是象麻花状的定向排列.同时,硅纳米线一般都处在两个结点之间;当电场不稳定时,可得到部分分叉的硅纳米线.
关键词:
硅纳米线
,
定向排列
,
外加电场
刘春霞
,
严文
,
范新会
,
刘建刚
材料科学与工程学报
doi:10.3969/j.issn.1673-2812.2005.01.029
在外加电场的作用下,用物理热蒸发法制备出了定向生长的硫化镉纳米带.借助扫描电子显微镜(SEM)、X射线能谱分析仪(EDX)和透射电镜(TEM)对硫化镉纳米带的形貌、成分和晶体结构进行了分析.结果表明:当外加电场为400 V,蒸发温度为1150℃,环境压力为150 torr,气体流量为50 SCCM时,可制备出平均宽度为25μm,厚80nm,长达几毫米的定向生长的硫化镉纳米带.
关键词:
物理热蒸发法
,
外加电场
,
硫化镉纳米带
鲁雄刚
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梁小伟
,
袁威
,
孙铭山
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丁伟中
,
周国治
金属学报
通过在铜液与Na3AlF6-Al2O3渣系间施加稳定的直流电场, 进行了铜液的无污染脱氧研究. 实验结果表明, 外加直流电场法可快速、有效地将铜液中的溶解氧脱除到10X10-6左右. 描述电场作用下氧离子在渣金间传递的模型计算与实验结果十分吻合. 根据实验结果, 对外加电场脱氧的反应机理进行了讨论和分析. 该方法避免了氧化物夹杂对金属液的污染以及固体电解质脱氧方法的高成本和二次氧化等问题.
关键词:
铜液
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null
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null
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