阮圣平
,
刘永刚
,
马骥
,
乌日娜
,
刘永军
,
宣丽
绝缘材料
doi:10.3969/j.issn.1009-9239.2003.03.008
用硬酯酸凝胶法制成粒度均匀的SrTiO3纳米晶,用X射线衍射光谱和红外光谱对产物进行表征.通过对所制材料复阻抗的测定,总结出与之相应的等效电路.实验结果表明,随着纳米晶SrTiO3粒径的增大,其复阻抗谱由阻挡层串联型变为德拜型.
关键词:
钛酸锶
,
纳米晶
,
复阻抗
,
等效电路
常爱民
,
简家文
,
杨文
,
杨邦朝
,
李言荣
功能材料
采用氧化物固相合成法去制备了Y掺杂(Ba0.5Sr0.4)Ti().材料,对1350℃/2h烧结,然后自然降温方式下成瓷的样品进行了R-T特性测试及复阻抗分析.结果表明样品电阻上升区域为0～185℃,最大升阻比为2.98个数量级,在185℃测试温度下样品的ρmax达到最大.变温复阻抗分析表明,材料的PTC效应完全是一种晶界效应,复阻抗谱测试结果与R-T特性测试结果相一致.
关键词:
钇掺杂
,
钛酸锶钡
,
缓变型PTC材料
,
复阻抗
李英
,
谢裕生
,
唐子龙
,
龚江宏
,
张中太
功能材料
采用交流复阻抗技术对(Y2O3,Yb2O3)复合掺杂ZrO2材料在573～873K这一温度范围的离子电导率随组成的变化关系进行了研究,发现在ZrO2-Y2O3系统中加入Yb2O3会使得材料在中低温区域电导率降低.用经典的Arrhenius公式对实验数据进行的分析表明,电导率降低的原因在于Yb3+与结构中氧空位之间的缔合比Y3+与氧空位之间的缔合更甚,阻碍了氧空位在中低温下的定向迁移.
关键词:
掺杂ZrO2材料
,
电导率
,
复阻抗
,
Arrhenius公式
刘毅
,
劳令耳
,
袁望治
,
黄英才
功能材料
采用交流阻抗技术对掺纳米ZnO的纳米ZrO2(3Y)复合掺杂材料在473～973K温度范围电导率随ZnO第二相质量分数(0.0%～5.0%(质量分数))的变化关系进行了研究.研究发现掺很少量的纳米ZnO(0.5%～1.0%<质量分数)),纳米ZrO2(3Y)材料晶粒和晶界电阻显著增加,电导率降低,原因在于缺陷缔合效应和晶界偏聚效应的加剧,阻碍了氧空位的迁移.随着ZnO掺入量的增加(＞1.0%(质量分数)),晶界电阻显著减小,晶粒电阻变化不大,总电导率回升,在中低温范围,总电导活化能与晶界电导活化能具有相同的变化趋势.
关键词:
钇稳定氧化锆
,
复合掺杂
,
复阻抗
,
电导率
袁国伟
电镀与涂饰
介绍了电化学阻抗谱在各种金属及合金的电沉积研究中的应用.文章分3期连载.第一部分介绍了电化学阻抗谱的基础知识,包括复数、复阻抗的概念,以及在各种常见条件下电解池的等效电路图.
关键词:
电化学阻抗谱
,
电沉积
,
复阻抗
,
等效电路
余大书
,
张明福
,
韩杰才
功能材料
报道了sol-gel技术制备Pb1-x YxTiO3纳米陶瓷(x=0.1%,0.2%,0.4%,0.8%,1.2%,1.6%).试样采用介电分析仪测试.结果发现,当钇掺杂量高于0.4%时,可以烧结得到致密陶瓷片,不同掺杂量的PbTiO3在居里温度区域都出现电容量激增现象.在该区域介电损耗(tgδ)出现突变峰,峰高依次为0.8%,0.4%,1.2%,居里点以下,tgδ大小顺序为0.4%＞0.8%＞1.2%.陶瓷复阻抗虚部随温度升高而降低,实部几乎不随温度变化.且居里点以上,实部和虚部复阻抗趋同.
关键词:
钛酸铅
,
钇掺杂改性
,
介电特性
,
复阻抗
李丹洋
,
何新华
,
符小艺
人工晶体学报
采用固相烧结法制备了Y、V共掺杂的CaBi4Ti4O15陶瓷(简称CYBTV).Y、V共掺杂有利于陶瓷晶粒沿c轴方向生长,提高瓷体致密度.测量和分析了不同频率下CYBTV陶瓷的交流电导率σ.c和直流电导率σdc随温度(300～ 1150 K)的变化以及陶瓷的复阻抗谱.σac在不同温区表现出不同程度的频率和温度相关性:在低温区,σac随着频率的升高而增大;在高温区,σac随着温度的升高而增大.CBT基材料的复阻抗响应主要与晶粒电阻电容有关,Y、V共掺杂后,陶瓷的晶粒电阻率显著增大,从而导致材料电阻率的提高.
关键词:
CaBi4Ti4O15
,
Y、V共掺杂
,
电导率
,
复阻抗
赵青
,
常爱民
,
简家文
,
巴维真
,
李志军
功能材料
研究了8mol%Y2O3掺杂ZrO2(8YSZ)材料微波烧结陶瓷在300～850℃温度范围内的交流复阻抗谱,获得了该材料的温度-离子电导率曲线,并与常规烧结的陶瓷体进行了比较.结果发现8YSZ的微波烧结陶瓷的晶界势垒在550℃被击穿,常规烧结陶瓷的晶界势垒在500℃被击穿.击穿后晶界电阻消失,离子电导率的变化主要由晶粒电导率的变化决定.在击穿温度点以下,陶瓷体的离子电导率随温度的升高呈波浪式上升,即曲线呈上升～下降～上升趋势.
关键词:
YSZ
,
微波烧结
,
复阻抗
,
电导率
张彤
,
董玮
,
徐宝琨
,
任辉
,
王兢
,
刘国范
,
高鼎三
材料科学与工程学报
doi:10.3969/j.issn.1673-2812.2000.z2.051
利用纳米复合氧化物Ba0.5Sr0.5TiO3材料制作了电阻型湿度敏感元件,对元件进行湿敏特性测试后表明:该元件的阻抗-湿度特性良好,电阻范围适中,湿滞小,不需加热清洗.同时研究了其直流充电-放电特性和交流复阻抗特性,分析了敏感机理.
关键词:
纳米晶
,
相对湿度
,
复阻抗
,
电介质
,
极化
苏树兵
,
宋世庚
,
郑应智
,
艾拜都拉
材料科学与工程学报
doi:10.3969/j.issn.1673-2812.2002.03.020
本文研究了化学共沉淀工艺制备的CoMnCuo系NTC热敏电阻元件在不同温度下的复阻抗谱,并建立了相应的模拟等效电路.根据Cole-Cole图,我们获得了材料的晶粒、晶界电阻随温度的变化关系.结果表明:晶粒、晶界电阻与温度均呈E指数关系,但晶界电阻远大于晶粒电阻.为此,我们与以往NTC热敏电阻的导电机制进行了比较,认为晶界电阻起主要作用.
关键词:
NTC热敏电阻
,
复阻抗
,
Cole-Cole图
