贾护军
,
杨银堂
,
李跃进
,
柴常春
功能材料与器件学报
doi:10.3969/j.issn.1007-4252.2005.03.029
目前,宽带隙半导体材料SiC在功率MOS器件与电路方面的巨大优势一直没有很好地体现出来,这主要是受到SiC衬底上栅介质绝缘层的质量及界面特性方面的限制.本文在总结比较国际该领域研究现状的基础上,分析了碳元素的存在对介质层质量和界面态密度的影响,指出通过低温沉积氧化层以获得良好的界面质量,并通过高k介质的引入以提高介质层可靠性是今后SiC功率器件与电路研制中比较理想的栅介质制备技术.
关键词:
碳化硅
,
功率器件
,
界面态
,
复合栅介质
