贺永宁
,
文常保
,
李昕
,
王兆宏
,
朱长纯
功能材料与器件学报
doi:10.3969/j.issn.1007-4252.2008.01.058
针对传统半导体光电探测器件结构的宽带隙半导体紫外探测器可测信号弱的问题,提出了一种基于ZnO纳米线膜的声表面波型紫外探测器.该探测器利用ZnO纳米线膜的强紫外光电响应特性和声表面波器件的灵敏的声电相互作用机制,将采用高纯锌粉的热蒸发氧化工艺制备的纤锌矿型ZnO纳米线制作在已有声表面波小波传感器上.利用光致发光谱研究发现,由于低维激子限域效应和表面效应,所制作ZnO纳米线敏感膜中的紫外光电效应优于外延ZnO半导体薄膜;同时,基于ZnO纳米线膜的声表面波式紫外探测器在紫外光辐照下该探测器的中心频率减小,损耗增大.实验研究表明该器件能够实现长波紫外光的高灵敏度探测.
关键词:
ZnO纳米线膜
,
声表面波
,
紫外探测
,
声电相互作用
,
激子限域效应
杨亮亮
,
魏东炜
,
李复生
,
马晋毅
,
江洪敏
材料导报
爆炸物检测SAW传感器的膜材料是国外目前研究的热点之一,综述了近几年这方面的研究状况.依据膜材料在检测中的作用,从3个方面进行了系统的阐述,包括膜材料的选择、制膜方法以及膜的表征;列举了大量国内外有关的最新工艺和研究进展,简要地分析了今后爆炸物检测SAW传感器膜材料的发展趋势和前景.
关键词:
声表面波
,
化学传感器
,
膜材料
,
成膜方法
,
膜表征
徐家跃
,
武安华
,
陆宝亮
,
张爱琼
,
范世(马山豆)
,
夏宗仁
人工晶体学报
doi:10.3969/j.issn.1000-985X.2004.04.019
报道了我们在Li2B4O7、Sr3Ga2Ge4O14、LiNbO3、LiTaO3等声表面波用压电晶体材料方面的最新研究进展.采用改进型坩埚下降法成功生长了直径3～4英寸的Li2B4O7晶体,并实现了批量生产.作为硅酸镓镧系列新型压电晶体之一,Sr3Ga2Ge4O14晶体具有最大的压电系数.报道了直径2英寸Sr3Ga2Ge4O14晶体的生长结果,测试了该晶体的压电性能.在CO2(90%)、H2(10%)混合气氛中,分别在700℃和450℃下对LN和LT晶片进行化学还原处理,成功制备了3英寸LN和LT低静电黑片,不仅减少了器件制作工序,而且使成品率提高了5～8百分点.此外,在密封坩埚中生长了低静电LiNbO3晶体,观察到一些新的现象.
关键词:
压电
,
坩埚下降法
,
晶体生长
,
黑片
,
声表面波
李冬梅
,
王旭波
,
潘峰
稀有金属
doi:10.3969/j.issn.0258-7076.2005.05.033
纯铝薄膜以其低声阻抗特性被广泛应用于声表面波(SAW)器件的制作.随着通讯频率的不断提高, 对SAW器件用Al薄膜的功率承受力以及与基体的附着力提出了越来越高的要求.采用少量易于反应离子刻蚀的Mo元素掺杂来改善Al合金的抗电迁移和功率承受力, 并以数纳米的Ti过渡层增强Al-Mo合金薄膜的取向性.结果表明: Ti/Al-Mo薄膜表现出强(111)织构, 与纯Al薄膜相比, 晶粒明显细化且致密均匀, 临界载荷大大增加, 与基体的附着力显著增强, 并具有良好的刻蚀性能.
关键词:
Al-Mo薄膜
,
Ti过渡层
,
附着力
,
声表面波
高亚南
,
孙为
,
黄文奇
,
吴冲
,
卢贵武
人工晶体学报
本文采用第一性原理方法研究了磷酸三镓(Ga3PO7)晶体的几何结构和电子结构.计算了该晶体X,Y,Z切型传播角度为0～180°的声表面波速度,机电耦合系数和能流角.第一性原理研究表明该晶体具有较强的共价键结构特征,其带隙为3.646 eV,属于直接带隙材料.计算结果表明其声表面波速度范围为3620 ～3850m/s,与石英晶体相当,但其Y切型的机电耦合系数最高可达1.075％,是石英晶体的三倍.
关键词:
Ga3PO7晶体
,
声表面波
,
机电耦合系数
,
能流角
邱贝贝
,
卢贵武
,
黄文奇
,
孔垂岗
,
周雪飞
,
杨云
人工晶体学报
本文计算了La3Ta0.5Ga5.5-xAlxO14(x＝0,0.3,O.5)压电晶体的X,y和Z切型的声表面波速度、机电耦合系数及能流角.计算结果表明了La3Ta0.5Ga5.5-xAlxO14(LTGAx)具有声表面波速度低、机电耦合系数大、存在能流角为零的切型等优点,同时总结出y切型为声表面波特性比较好的切型,为LTGAx(x＝0,O.3,0.5)晶体的声表面波应用提供了理论依据.
关键词:
La3Ta0.5Ga5.5-xAlxO14
,
声表面波
,
机电耦合系数
,
能流角
张健
,
王继扬
,
于永贵
,
张怀金
,
王春雷
,
丛恒将
人工晶体学报
采用提拉法生长了高质量、大尺寸、结构完整的声表面波零温度系数切向LGS晶体.XRD图谱显示,生长的晶体为单一相LGS晶体,晶格常数为a=0.816274 nm,c=0.509253 nm,密度为5.7463 g/cm3.压电常数、介电常数、热膨胀性能等与传统方向生长的晶体一致.用此方向生长的LGS晶体制作声表面波频率温度性能优化的切片,只需要垂直生长方向进行切割,可以大大简化晶体的加工工艺、提高LGS晶体的利用率,节省材料成本.
关键词:
硅酸镓镧
,
晶体生长
,
声表面波
,
频率温度系数
,
晶体切割利用率
荆二荣
,
冯士维
,
郝伟
材料导报
从矩阵方法的基本原理出发,结合AlN/GaN结构的机械和电学边界条件,推导出用于求解声表面波在AlN/GaN结构中的相速的行列式方程.通过求解该行列式方程,分析了声表面波在AlN/GaN结构中的传播特性,包括声表面波相速和机电耦合系数随频率、AlN的膜厚和c轴取向的变化规律.AlN/GaN结构减弱了GaN中施主杂质的影响,使该结构更适合于声表面波器件的应用,AlN和GaN作为半导体压电材料,其AlN/GaN结构便于与其它电路集成化,有利于减小器件的尺寸,增强声表面波器件的功能.
关键词:
声表面波
,
矩阵方法
,
相速
,
机电耦合系数
