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化合物半导体近红外光荧光测试中的布里渊散射

丁国庆

功能材料与器件学报 doi:10.3969/j.issn.1007-4252.2000.04.011

报告了InGaAsP/InP异质体材料光荧光测试中的受激布里渊散射,实验表明,该类材料在温度为20 ～150 K,光入射功率为4.5～6.0mW ,观测到光荧光谱(PLS) 中强度和频移对称的多声子伴线, 并讨论了它们的特性.

关键词: 布里渊散射 , 声子伴线 , 异质结构体材料