魏丽娟
,
刘贵山
,
冯同
,
郝洪顺
,
胡志强
,
高文元
人工晶体学报
采用一步蒸发法分别在钠钙硅玻璃基底、Mo基底上制备Cu(In,Ga) Se2(CIGS)薄膜,通过改变基底温度研究了玻璃和钼基底下CIGS薄膜晶体结构随温度变化情况,采用XRD、SEM、XRF及UV-vis对CIGS薄膜组成、结构及性能进行了表征.结果表明:在玻璃和Mo基底下制备的CIGS薄膜具有均匀一致的化学计量比组成,不同基底温度下,薄膜呈片状和柱状两种结构,片状结构的光吸收系数和禁带宽度高于柱状结构的光吸收系数和禁带宽度.
关键词:
一步蒸发法
,
CIGS薄膜
,
基底温度
,
晶体结构
张湘辉
,
汪灵
,
龙剑平
,
邓苗
,
冯珊
功能材料
采用自主研制的具有基底温度开-闭环复合自动控制系统的直流弧光放电PCVD设备，当开环流量不同时，在硬质合金基体表面分别进行了纳米金刚石薄膜制备研究。并采用SEM、XRD、激光Raman光谱仪对所制备薄膜的形貌、物相和品质进行了分析。研究结果表明，当开环流量从10→5→15→20mL／min变化时，所制备纳米金刚石薄膜的表面粗糙度及石墨成分会随之增加，金刚石晶粒转变为以（110）面生长为主，且尺寸增大；并加剧了硬质合金基体中Co相粘结剂向基体表面的扩散。温控中基底温度的波动（稳定性）是影响纳米金刚石薄膜生长性能的主要原因。
关键词:
直流弧光放电等离子体化学气相沉积法
,
纳米金刚石薄膜
,
基底温度
,
开-闭环复合控制
张湘辉
,
汪灵
,
龙剑平
人工晶体学报
如何精确、高效地实现对基底温度的测控,并获得优化的温度参数,对于CVD金刚石制备技术至关重要.本文采用自主研制的具有新型基底温度自动控制系统的直流弧光放电PCVD设备,分别进行了基底温度开环、闭环及开闭环复合控制下的金刚石薄膜制备研究,并采用SEM,激光Raman光谱仪对所制备薄膜的形貌品质进行了分析.研究结果表明:基底温控方式的不同会明显影响CVD金刚石膜的晶体、生长特征及品质,尤其造成了薄膜生长中二次形核密度以及非金刚石成分的显著变化；在保证系统稳定运行的前提下,当其它沉积参数恒定时,受控下的基底温度控制精度及控制品质的实时变化是影响CVD金刚石膜生长性能的主要因素,其中控制精度介于±5℃～±15℃间变化,而控制品质受控制方式的影响较大；相对于控制精度而言,控制品质的变化对常规金刚石薄膜生长性能的影响更为明显.对于此系统,只有采用开-闭环复合控制,且开环流量维持在其单独工作流量的20％时,才能保证基底温度控制精度、控制品质及所制备的CVD金刚石薄膜的质量最佳.
关键词:
直流弧光放电PCVD法
,
金刚石薄膜
,
基底温度
,
开环、闭环及开闭环复合控制方式
黄帅
,
李晨辉
,
孙宜华
,
柯文明
无机材料学报
doi:10.3724/SP.J.1077.2012.00064
采用陶瓷靶直流磁控溅射, 以玻璃为基底制备2.5wt% Nb掺杂TiO2薄膜, 控制薄膜厚度在300~350 nm, 研究了不同基底温度下所制得薄膜的结构、形貌和光学特性. XRD分析表明, 基底温度为150℃、250℃和350℃时, 薄膜分别为非晶态、锐钛矿(101)和金红石相(110)结构. 基底温度250℃时, 锐钛矿相薄膜的晶粒尺寸最大, 约为 32 nm. 薄膜表面形貌的SEM分析显示, 薄膜粗糙度和致密度随基底温度升高得到改善. 薄膜的平均可见光透过率在基底温度为250℃以内约为70%, 随基底温度升高至350℃, 平均透过率下降为59%, 金红石相的存在不利于可见光透过. Nb掺杂TiO2薄膜的光学带宽在3.68~3.78 eV之间变化. 基底温度为250℃时, 锐钛矿相薄膜的禁带宽度最大, 为3.78 eV.
关键词:
基底温度
,
TiO2
,
DC magnetron sputtering
,
ceramic target
,
structure
,
optical properties
季鑫
,
宓一呜
,
张朝民
,
周细应
,
赵新新
,
言智
,
周有余
材料导报
通过磁控溅射法在硅基材上制备了不同基底温度的TaMo和TaMoN涂层,采用原子力显微镜(AFM)和X射线衍射仪(XRD)研究了在第三组元N加入的情况下TaMo涂层的表面形貌和组织结构,采用CHI电化学分析仪分析了涂层的耐腐蚀性能,并分别对涂层进行了1000℃+300h高温氧化性能试验.实验结果表明,两种基底温度工艺下氮元素的加入对TaMo涂层的组织结构和表面形貌均有显著影响.另外,氮元素的加入可以提高TaMo涂层的耐腐蚀性能,但对TaMo涂层的耐高温性能没有改善.
关键词:
TaMo涂层
,
基底温度
,
腐蚀
,
表面形貌
自兴发
,
杨雯
,
杨培志
,
段良飞
,
张力元
人工晶体学报
利用脉冲磁控溅射制备技术,采用单质金属铜靶作为溅射靶,在氧气(O2)和氩气(Ar)的混合气氛下在石英玻璃基底上制备Cu2O薄膜,研究了O2和Ar流量比(O2/Ar)及基底湿度对沉积的Cu2O薄膜结构、表面形貌及光学性能的影响.结果表明:在O2/Ar为30∶80的气氛条件下,基底温度在室温(RT)和100℃时均可获得单相的Cu2O＜ 111＞薄膜;薄膜表面致密、颗粒呈球状,粗糙度的均方根(RMS)值随基底温度增加而增大;薄膜的光谱吸收范围为300～ 650 nm,紫外区吸收较强,可见光区吸收强度较弱,吸收强度随基底温度的增加而增强,光学带隙(Eg)随基底温度的增加而减小.
关键词:
脉冲磁控溅射
,
Cu2O薄膜
,
氧氩比
,
基底温度
,
光学特性
林江
,
张溪文
,
韩高荣
材料科学与工程学报
本文搭建了一套大气压等离子体薄膜沉积系统,其装置采用喷枪方式,结合运动机构控制喷枪按特定轨迹移动镀膜。四乙氧基硅烷（TEOS）作为硅的先驱体,氮气为先驱体载气和等离子体放电气体,基底温度50℃～300℃,进行了大气压等离子体化学气相沉积氧化硅薄膜的研究。运用红外光谱（FTIR）、光学椭偏仪,扫描电镜（SEM）和纳米压痕仪对沉积的薄膜进行了表征。研究表明,薄膜中富含Si—O—Si键且有少量S—OH键;较高基底温度有利于在硅基底上得到一层平整致密的薄膜;基底温度300℃时薄膜硬度达到4.8GPa,略低于采用PECVD方法沉积的氧化硅薄膜。
关键词:
氧化硅薄膜
,
非平衡等离子体枪
,
大气压
,
氮气
,
四乙氧基硅烷
,
基底温度
李兴鳌
,
杨建平
,
左安友
,
高雁军
,
袁作彬
,
任山令
,
李永涛
材料导报
采用反应直流磁控溅射镀膜法,在氮气分压为0.9Pa、不同基底温度下、玻璃基底上制备了纳米多晶Cu_3N薄膜,并研究了基底温度对薄膜结构和性能的影响.结果表明,当基底温度为100℃及以下时,薄膜以[111]方向择优生长为主;在150℃及200℃时,薄膜以[100]方向择优生长为主;250℃时开始出现Cu的[111]方向生长,300℃时已完全不能形成Cu_3N晶体,只有明显的Cu晶体.随基底温度的升高,薄膜的沉积速率在13～28nm/min呈U型变化,低温和高温时较高,150℃时最低;薄膜的电阻率显著降低;薄膜的显微硬度先升后降,100℃时显微硬度最大.
关键词:
氮化铜薄膜
,
直流磁控溅射
,
基底温度
,
热稳定性
李爱侠
,
孙大明
,
孙兆奇
,
宋学萍
,
赵宗彦
复合材料学报
doi:10.3321/j.issn:1000-3851.2004.02.004
用电子薄膜应力分布测试仪测量了基底温度对Ag-MgF2金属陶瓷薄膜内应力的影响.结果表明:基底温度在300℃～400℃范围内,φ20.4 mm选区内的薄膜平均应力最小,应力分布比较均匀,应力为张应力.XRD分析表明:当基底温度在300℃～400℃范围内,Ag-MgF2薄膜中的Ag和MgF2组分的晶格常数接近块体值,说明通过改变基底温度可以降低薄膜内应力.
关键词:
Ag-MgF2金属陶瓷薄膜
,
应力
,
基底温度
,
微结构
