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赵福川 , 谈惠祖 , 杜立新 , 莫培根
功能材料与器件学报 doi:10.3969/j.issn.1007-4252.2000.02.011
研究了非掺GaAs半绝缘单晶的液封垂直梯度凝固法(VGF)生长技术,解决了Si沾污和C浓度的控制问题,得到了直径2英寸非掺半绝缘低位错单晶.测试表明:该单晶的位错密度较LEC单晶下降近一个数量级,电学参数与LEC单晶类似,接近国外VGF单晶的参数指标.
关键词: 垂直凝固(VGF) , 半绝缘GaAs单晶 , 晶体生长
