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坩埚加速旋转-垂直下降法晶体生长设备的研制

谷智 , 李国强 , 介万奇 , 郭平

人工晶体学报 doi:10.3969/j.issn.1000-985X.2003.04.013

根据CdZnTe等Ⅱ-Ⅵ族化合物半导体晶体生长的基本原理和工艺要求,设计制造了坩埚加速旋转-垂直下降法(ACRT-VBM)晶体生长系统.本文介绍了该系统设计所考虑的基本问题和元器件的选择,给出了系统的基本结构.晶体生长炉的温度控制精度为±1℃,系统的速度均匀度为±0.0015mm/h.该系统的性能指标满足生长直径30mm的CdZnTe晶体的要求.

关键词: CdZnTe , 坩埚加速旋转-垂直下降法 , 晶体生长设备