宋词
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杭寅
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徐军
人工晶体学报
doi:10.3969/j.issn.1000-985X.2004.01.018
基于ZnO的紫外激光器的实现掀起了对于传统的纤锌矿结构的半导体ZnO材料的新的研究热潮.ZnO以其优良的综合性能将成为下一代光电子材料,因此对ZnO单晶的研究有重要的理论和实践意义.目前生长ZnO的方法有助熔剂法、水热法、气相法和坩埚下降法等等,但所生长的ZnO单晶的尺寸和质量都有待于提高.
关键词:
氧化锌
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晶体生长
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半导体
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水热法
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助熔剂法
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气相法
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坩埚下降法
陈红兵
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沈琦
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方奇术
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肖华平
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王苏静
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梁哲
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蒋成勇
人工晶体学报
采用坩埚下降法生长出大尺寸CdWO4单晶,通过光学显微镜、电子探针观察分析了所获CdWO4单晶的典型晶体缺陷,包括晶体开裂、丝状包裹物和晶体黑化.结果表明,CdWO4单晶存在显著的解理特性,常出现因热应力导致的沿(010)解理面的晶体开裂;当采用富镉多晶料进行单晶生长时,所获单晶棒的下部常出现沿轴向分布的丝状包裹物,电子探针分析证实这种丝状包裹物是熔体内过量CdO沉积所致;在氮气氛中进行高温退火处理,CdWO4单晶还会出现黑化现象.
关键词:
钨酸镉
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晶体生长
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坩埚下降法
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晶体缺陷
张伟
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朱世富
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赵北君
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张建军
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刘敏文
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李一春
人工晶体学报
doi:10.3969/j.issn.1000-985X.2005.03.027
在同一安瓿中一次性合成、生长出了外形完整、无裂纹的AgGaS2单晶体,尺寸达φ10mm×20mm.并进行了X射线能谱元素分析,测定了AgGaS2多晶粉末衍射谱,以及单晶体的红外透射谱,同时得到了(112)、(024)面的X射线单晶衍射谱,结果表明生长的单晶体可用于器件研究.
关键词:
硫镓银
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多晶合成
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单晶生长
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坩埚下降法
胡旭波
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赵学洋
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魏冉
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王敏刚
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向军涛
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陈红兵
人工晶体学报
以CdO和MoO3粉料为初始试剂,通过高温固相烧结合成CdMoO4多晶料,采用坩埚下降法生长出尺寸达φ25 mm×130mm的透明完整CdMoO4单晶;应用DSC、XRD对所获单晶进行了结晶相和热性能表征,测试了单晶的紫外可见透射光谱、紫外光激发发射光谱及其发光衰减时间.结果表明,CdMoO4单晶具有良好的一致熔融析晶特性,采用坩埚下降法较易于生长出大尺寸单晶;该单晶在吸收截止边375 nm以上波长具有良好光学透过性,在300 nm紫外光激发作用下,测得该单晶具有525 nm左右峰值波长的荧光发射,其发光衰减时间为804 ～ 1054 ns.该单晶经氧气氛高温处理呈现出明显的退火消色效应,即经1000℃以上温度的氧气氛退火处理,可使晶体的光学透过性得以明显改善,其荧光发射强度显著增强.
关键词:
钼酸镉
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单晶生长
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坩埚下降法
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光谱性能
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退火效应
肖学峰
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顾赟
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徐家跃
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张彦
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向卫东
人工晶体学报
采用坩埚下降法生长了Ge的摩尔浓度分别为5％、10％、15％的硅锗酸铋晶体(BGSO).利用显微压痕实验系统研究了BGSO晶体的力学性能,包括维氏硬度Hv、断裂韧性Kc、屈服强度σ和脆性指数B.研究表明,BGSO晶体的力学性能参数Hv、Kc和σ随着Ge含量和载荷的增加而逐渐减小,而脆性指数B则增大.在Ge含量从0到15％范围内,BGSO晶体的力学性能基本上表现为BGO和BSO两种晶体力学性能的简单混合.
关键词:
闪烁晶体
,
坩埚下降法
,
BGSO
,
力学性能
金敏
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徐家跃
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房永征
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何庆波
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周鼎
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申慧
人工晶体学报
采用坩埚下降法生长了LED用硅掺杂<511>取向的GaAs晶体.选用带籽最槽的PBN坩埚作为生长容器,密封在石英安瓶中以防止生长过程中As蒸汽挥发.研究了掺杂工艺、固液界面形貌和生长缺陷.结果表明:孪晶化是硅掺杂GaAs晶体生长的主要问题.探讨了孪晶形成机理,优化了生长工艺,成功获得了直径2英寸高质量的硅掺杂GaAs晶体,双摇摆曲线显示所得晶体的FWHM为40 arcsec.
关键词:
GaAs
,
晶体生长
,
坩埚下降法
,
硅掺杂
,
孪晶
陈红兵
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周昌勇
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杨培志
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王金浩
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许伟
中国稀土学报
报道了LaCl3单晶的非真空密闭条件下的坩埚下降法生长方法.依据差热,热重分析所揭示的LaCl3·7H2O脱水过程,采用干燥氯化氢保护下的焙烧脱水处理制备出无水LaCl3原料.将无水LaCl3密封于铂坩埚中,且添加少量活性碳粉,可避免熔体的氧化与挥发,从而实现在非真空条件下的LaCl3单晶生长.在单晶生长过程中,炉体控制温度为940～970℃,固液界面温度梯度为30～40℃·cm-1,坩埚下降速率控制于0.5～1.0 mm·h-1,在非真空密闭条件下成功生长出直径为25 mm的透明LaCl3单晶.综合运用差热/热重分析、X射线衍射、透射光谱、X射线激发发射光谱对所获单晶样品进行了测试表征,表明非真空密闭坩埚下降法适合于生长均匀透明LaCl3单晶.
关键词:
LaCl3
,
闪烁晶体
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脱水处理
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晶体生长
,
坩埚下降法
,
稀土
郭以峰
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陈炜冬
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林新松
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周宇乔
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叶宁
人工晶体学报
利用硫过量双温区摇摆炉合成法来稳定合成BaGa4 S7 (BGS)多晶,并用此方法合成出的原料利用坩埚下降法生长BGS单晶.BGS的紫外和红外吸收边分别为350 nm和13.7 μm.在50℃时,它在a-,b-和c-方向的热导率分别为1.34 W/(m·K),1.58 W/(m·K)和1.68 W/(m·K).在1.064 μm、2.1 μm和9.85 μm时,它的激光损伤阈值分别为1.2 J/cm2,7.15 J/cm2和26.2 J/cm2.当泵浦光源在2.2 μm左右变化时,非临界相位匹配OPO输出波长在6～10μm之间.
关键词:
硫镓钡
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坩埚下降法
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热导率
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激光损伤阀值
金敏
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吴宪君
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李新华
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何庆波
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申慧
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徐家跃
人工晶体学报
采用高温坩埚下降法生长La2 Ti2 O7晶体,获得的晶体尺寸约为18 mm× 12 mm× 10 mm,其表面出现了一系列(004)解理面.X射线双摇摆曲线表明该晶体具有良好的结晶质量.透过光谱显示退火后的La2 Ti2 O7晶体在可见光范围内是透明的,当波长在800 nm左右时,透过率将显著下降.La2 Ti2 O7晶体的吸收边出现在500 nm波长附近.光折射指数分析表明退火La2 Ti2 O7晶体具有高的折射率.折射率色散方程确定为n2(λ) =4.61643 +0.16198/(λ2-0.01547) -0.47201λ2,利用该公式可计算出300～1680 nm范围内任意波长下的折射指数n值.
关键词:
La2 Ti2 O7
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坩埚下降法
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晶体生长
,
光学性能
