孙淼
,
张艳
,
王胜刚
腐蚀学报（英文）
借助动电位极化和电化学阻抗谱(EIS)测量, 研究块体纳米晶工业纯铁(BNII) 和粗晶工业纯铁(CPII)在室温0.4 mol/L HCl溶液中的电化学腐蚀行为; 用扫描电子显微镜(SEM)观察腐蚀后的表面形貌. 结果表明, 与CPII相比, BNII的自腐蚀电位Ecorr正向移动43 mV, 自腐蚀电流Icorr由68.37 μA•cm-2减小为29.55 μA•cm-2; 电荷转移电阻Rt由427.0 Ω•cm2增大到890.1 Ω•cm2. 两种材料发生的点蚀呈不同的形态: BNII的点蚀孔小而浅, 腐蚀深度比较均匀, 而CPII的腐蚀表面形成的点蚀孔深且孔径较大. 与CPII相比, BNII在HCl溶液中的耐腐蚀性能明显提高.
关键词:
块体纳米晶工业纯铁(BNII)
,
severe rolling
,
hydrochloric acid solution
,
corrosion
沈长斌
,
丁志敏
,
王颖
材料科学与工艺
在室温添加丙烯基硫脲(ATU)的稀盐酸溶液中,对块体纳米晶工业纯铁(BNII)和普通工业纯铁(CPII)的电化学腐蚀行为进行了对比研究.结果表明:在空白室温1mol.L~(-1) HCl中,BNII的抗腐蚀能力比CPII的强.当添加ATU,浸泡5min后,两种样品的EIS(电化学阻抗谱)均没有出现感抗弧.随着时间的延长,对于BNII,EIS谱图上出现-Warburg阻抗.在浓度为100mg.L~(-1),进行动电位极化测试时,两种样品均出现阳极脱附现象,脱附电位E_(des)有明显差异.与CPII相比,ATU对BNII的缓蚀作用非常有限,甚至有促进其腐蚀的趋势.
关键词:
块体纳米晶工业纯铁(BNII)
,
硫脲和丙烯基硫脲(TU&ATU)
,
缓蚀作用
,
盐酸
沈长斌
,
杨怀玉
,
王胜刚
,
龙康
,
王福会
材料研究学报
doi:10.3321/j.issn:1005-3093.2008.06.010
研究了在稀硫酸溶液中添加硫脲(TU)对块体纳米晶工业纯铁(BNII)室温电化学腐蚀行为的影响,并与普通工业纯铁(CPII)的室温电化学腐蚀行为进行了比较.结果表明:将CPII在添加TU的稀硫酸溶液中浸泡5 min,其电化学阻抗(EIS)谱图中出现感抗弧.随着浸泡时间的延长,CPII的EIS谱图表现为一非圆心下偏的半圆;而在相同的条件下,BNII的EIS谱图表现为两个时间常数的容抗弧,表明硫脲对其腐蚀行为有促进作用.动电位极化(PDP)测试结果表明,两种材料的样品均出现阳极脱附现象.
关键词:
材料失效与保护
,
块体纳米晶工业纯铁(BNII)
,
硫脲(TU)
,
脱附现象
孙淼
,
张艳
,
王胜刚
腐蚀学报（英文）
借助动电位极化和电化学阻抗谱（EIS）测量，研究块体纳米晶工业纯铁（BNII）和粗晶工业纯铁（CPII）在室温0．4mol／LHCl溶液中的电化学腐蚀行为；用扫描电子显微镜（SEM）观察腐蚀后的表面形貌．结果表明，与CPII相比，BNII的自腐蚀电位Ecorr正向移动43mV，自腐蚀电流Icorr由68．37pA·cm^-2减小为29．55pA·cm^-2；电荷转移电阻Rt由427．0Q·cm^2增大到890．1Q·cm^-2两种材料发生的点蚀呈不同的形态：BNII的点蚀Ykd,而浅，腐蚀深度比较均匀，而CPII的腐蚀表面形成的点蚀孔深且孔径较大．与CPII相比，BNII在HCl溶液中的耐腐蚀性能明显提高．
关键词:
块体纳米晶工业纯铁(BNII)
,
深度轧制
,
盐酸溶液
,
腐蚀
