王桂美
,
高绍康
,
陈建中
,
庄乃锋
人工晶体学报
doi:10.3969/j.issn.1000-985X.2005.01.017
本文研究了用盐酸酸沉仲钼酸铵溶液制备四钼酸铵的成核过程,测量了以诱导期表示的成核速率,讨论了温度和过饱和比对成核速率的影响.结果表明,四钼酸铵过饱和溶液的成核速率随着温度的升高和过饱和比的增大而增大.确定了在实验的温度范围内均匀成核和非均匀成核之间的界限,并根据均匀成核理论计算了其成核特征参数.
关键词:
仲钼酸铵
,
四钼酸铵
,
过饱和比
,
均匀成核
程旻
,
李明伟
,
付东
,
薛晓攀
,
喻江涛
功能材料
研究了不同pH值下、不同温度和过饱和度的KDP溶液的成核过程,测定了不同情况下溶液的诱导期.研究表明,当KDP溶液的过饱和比S1.3时,均匀成核起主导作用;当S<1.2时,非均匀成核起主导作用.根据经典均匀成核理论,针对KDP过饱和溶液均匀成核的情况计算出了不同pH值、不同温度下的固-液界面张力等成核参数,并从上述参数的相互比较中分析得到了改变pH值后溶液稳定性变强的原因.最后通过对表面熵因子的计算,确定了KDP晶体的微观生长机制为连续生长模式.
关键词:
pH值
,
KDP
,
均匀成核
,
诱导期
,
固-液界面张力
陈建中
,
郭飞云
,
庄乃锋
,
林树坤
人工晶体学报
doi:10.3969/j.issn.1000-985X.2000.04.016
本文对硒酸氢铷(RbHSeO4,RHSe)晶体生长过饱和溶液的均匀成核过程进行了初步的研究.通过动态目视法测量RHSe过饱和溶液的诱导期,讨论过饱和比、温度对诱导期的影响,并根据经典均匀成核理论计算不同温度下的晶体表面张力、成核自由能和临界成核半径,为探讨RHSe单晶的水溶液生长的较佳条件提供依据.
关键词:
硒酸氢铷
,
均匀成核
,
诱导期
,
溶液生长法
程旻
,
李明伟
,
郭晋丽
,
曹亚超
人工晶体学报
利用全程摄像的方法测定了不同情况下ADP过饱和溶液的诱导期,研究了不同pH值、不同温度的ADP过饱和溶液的成核过程,讨论了pH值、温度和过饱和度S等因素对诱导期的影响.结果表明:改变pH值后,在同一过饱和度下,溶液的稳定性在不同温度间差异较小,更利于晶体在较高的温度下稳定快速的生长;改变pH值后,溶液在整个过饱和度范围内更趋向于均匀成核.根据经典均匀成核理论,针对ADP溶液均匀成核的状况计算出了不同pH值和温度下的固-液界面张力、临界成核功等成核参数,并从上述参数的相互比较中得到了改变pH值后溶液稳定性变强的微观原因.最后通过对表面熵因子的计算,确定了ADP晶体的微观生长机制为连续生长模式.
关键词:
pH值
,
ADP
,
均匀成核
,
诱导期
,
固-液界面张力
宋洁
,
李明伟
,
尹华伟
人工晶体学报
测定了25℃下,添加不同浓度的EDTA后,不同过饱和比下ZTS溶液的诱导期,研究了掺杂浓度及过饱和比对ZTS溶液成核的影响.研究显示,当溶液处于较高过饱和比时(S＞1.13),均匀成核占主导;而在较低过饱和比时(S＜ 1.11),则以非均匀成核为主.利用经典成核理论对实验所得数据进行分析,计算得到了界面张力、临界核形成功、临界核半径等成核特性,发现了溶液过饱和比及掺杂浓度对成核速度的影响,解释了添加EDTA能提高溶液稳定性的原因.利用界面张力的值计算得到了表面熵因子.
关键词:
ZTS溶液
,
EDTA
,
诱导期
,
均匀成核
