邓记才
,
张兵临
,
方莉俐
,
姚宁
液晶与显示
doi:10.3969/j.issn.1007-2780.2006.03.012
基于开关控制技术提出了一种开关选通电流型FED驱动电路.该驱动电路包括FET开关选通电路、数字视频锁存电路及PWM调制转换电路等部分,开关选通电路每8路构成一组,各组同步工作,既减少了电流源数量又保证了PWM脉冲有较大的占空比,PWM信号最大脉宽可达TH/8.采用本驱动电路使得在一行内只有1/8的像素数同时导通,有效降低了行扫描驱动电路的输出电流和功耗,同时相邻阴极依次导通减弱了极间电容影响,有利于改善PWM调制性能.
关键词:
场发射显示
,
驱动电路
,
电流驱动
,
脉宽调制
陈婷
,
郭平生
,
王莉莉
,
冯涛
,
陈弈卫
,
张哲娟
,
林丽锋
,
阙文修
,
孙卓
液晶与显示
doi:10.3969/j.issn.1007-2780.2007.03.010
采用磁控共溅射法在Si片表面镀NiTi膜作为碳纳米管生长的催化剂,制备出表面形貌特殊的碳纳米管薄膜,如"丘状"和"星状"的表面微结构.通过扫描电子显微镜对碳纳米管薄膜的形貌进行表征,采用二极管形式测试了碳纳米管薄膜的场发射性能.实验结果表明,这两种碳纳米管薄膜都具有优异的场发射性能,10μA/cm时的开启电场分别仅为1.02 V/btm和1.15 V/μm,在外加电场为2.4 V/μm时的电流密度分别达到4.32 mA/cm2和6.88 mA/cm2.通过场发射FN的曲线计算得到的场发射增强因子分别为10 113和6 840.这两种碳纳米管薄膜优异的场发射性能与其表面的微结构有关.表面的粗糙结构增强了部分碳纳米管的局域电场,易于发射电子.
关键词:
场发射显示
,
碳纳米管
,
场发射
,
表面形貌
于灵敏
,
朱长纯
液晶与显示
doi:10.3969/j.issn.1007-2780.2008.02.005
针对现有的ZnO纳米针场发射的均匀性和稳定性不良问题,提出丝网印刷碳纳米管(CNTs)掺杂过滤的Zno纳米针的方法,将印刷的薄膜在450～600℃下烧结,并研究了过滤及CNTs掺杂对ZnO纳米针场发射性能的影响.结果表明,印刷薄膜在450℃下烧结,尽管还有残余的浆料存在,但CNTs没有被氧化,而在500℃和600℃下烧结,几乎所有的CNTs被氧化.场发射测试结果显示在相同的电压下,450℃烧结的薄膜具有最高的场发射电流密度和最好的场发射稳定性.由此表明,利用过滤和CNTs掺杂可以有效地提高ZnO纳米针场发射的均匀性和稳定性.
关键词:
ZnO纳米针
,
场发射
,
均匀性
,
稳定性
,
场发射显示
倪小静
,
夏姣贞
,
顾征
功能材料与器件学报
doi:10.3969/j.issn.1007-4252.2009.05.019
碳纳米管(CNT)具有良好的场发射特性,研究表明,垂直于基板的碳纳米管具有较其他取向更大的场发射能力,本文介绍一种在大面积基板上使碳纳米管取向垂直的方法,通过有关参数的实验测试,研究了解场发射能力提高程度,并估算场增强因子.本方法对制备大屏幕场发射显示器(FED)具有积极意义.
关键词:
纳米碳管
,
场发射显示
,
垂直取向
