王红军
,
左敦稳
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徐锋
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卢文壮
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王珉
人工晶体学报
以电感耦合等离子体(ICP)刻蚀工艺制备单晶硅微齿轮陈列模具,采用热丝法化学气相沉积(HFCVD)制备出结构精细的金刚石微齿轮,其齿顶圆直径约1.55 mm、齿轮厚度10μm.应用扫描电镜分别观察了ICP刻蚀的硅微齿轮模具及CVD金刚石微齿轮,表明齿轮微结构形貌精细,金刚石微齿轮较好地复制了硅微细结构；Raman光谱分析表明微齿轮的金刚石质量较高.此工艺可以实现金刚石薄膜的精细图形化,为面向微机械应用的金刚石器件的经济批量制备提供了一种途径.
关键词:
图形化
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热丝法化学气相沉积
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微结构
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微机械
彭倚天
,
胡元中
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王慧
高分子材料科学与工程
为在硅基底上得到不同化学基团修饰的图形,采用传统的光刻技术与自组装相结合的方法,成功地制备了由甲基与氨基末端官能团组成的图形化自组装膜.将图形化自组装膜泡入碳纳米管DMF(N,N-二甲基甲酰胺)分散液中,图形化自组装膜的氨基区域能均匀吸附一层分散液中碳纳米管,而甲基没有,表明图形化自组装膜的不同自组装膜区域的不同表面性质,证实了该方法的可行性.
关键词:
多壁碳纳米管
,
自组装单层膜(SAMS)
,
图形化
,
光刻
吴朝兴
,
李福山
,
郭太良
功能材料
doi:10.3969/j.issn.1001-9731.2015.07.003
采用旋涂技术、光刻技术、蒸发镀膜技术制备以图形化石墨烯∶聚合物复合薄膜为活性层,具有氧化铟锡/石墨烯∶聚合物/铝交叉型夹层结构的阻变器件.采用光刻胶为有机基体,实现阻变层的可图形化；通过优化石墨烯浓度,获得具有优良性能的可擦写非易失性阻变存储器件,讨论其阻变机制.实验表明,当石墨烯浓度为0．01％(质量分数)时,器件具有最佳的阻变特性,其开关比达8．9×103,且表现出良好的数据维持能力.
关键词:
石墨烯
,
阻变存储器件
,
图形化
,
有机/无机杂化
王慧丽
,
马晓东
,
钱雪峰
,
朱子康
材料导报
用化学浴沉积的方法,以CdCl2·2.5H2O为镉源,Na2SeSO3为硒源,柠檬酸钠为络合剂,60℃下反应制备CdSe薄膜,并用XRD、FESEM、UV-Vis等方法进行了表征,研究表明生成的薄膜由粒径分布均匀的粒子组成.进一步以PDMS为印章,以OTS-甲苯溶液为"墨水",用微接触印刷的方法制备了CdSe薄膜的图形.
关键词:
CdSe
,
化学浴沉积法
,
图形化
,
微接触印刷
陈东升
,
路庆华
材料保护
将聚乙烯吡咯烷酮(PVP)用于激光诱导化学镀的技术目前还鲜见报道.为此,对涂覆在聚酰亚胺(PI)上的PVP/AgNO3胶体用激光进行光刻还原出银纳米粒子,在PI表面实现了微米级的图形化化学镀.用AFM和XPS分别表征了激光辐射后银纳米粒子的形态和化学信息,用SEM分析了镀铜层的形貌以及激光扫描速度对镀层形貌的影响,并用半导体特性分析系统表征了镀层的I-E特性.结果表明,激光能有效地将PVP/AgNO3胶体中的Ag+还原成Ag纳米粒子,激光扫描速度小于0.1 mm/s时镀层比较均匀致密,且镀层与聚合物基体之间的粘结力好,镀层的选择性和导电性均良好.本方法为实现聚合物表面图形化化学镀开创了一条简单的、新的途径.
关键词:
化学镀铜
,
聚乙烯吡咯烷酮/AgNO3胶体
,
激光诱导
,
图形化
,
聚酰亚胺
,
表面金属化
康冬茹
,
叶芸
,
汪江胜
,
吕珊红
,
辛琦
,
郭太良
液晶与显示
doi:10.3788/YJYXS20173205.0367
为了减小场发射的屏蔽效应,采用图形化技术对氧化锌(ZnO)纳米枝阵列进行调控,并研究图形化ZnO枝阵列的性能.首先采用光刻法在ITO导电玻璃上制备图形化ZnO种子层,再用电沉积法在图形化种子层上生长ZnO纳米枝阵列.利用扫描电子显微镜(SEM)、X射线衍射(XRD)研究所制备的图形化ZnO阵列形貌、结构等,并测试其场发射性能.研究结果表明,制备的图形化ZnO纳米枝是圆阵列,直径为330 μm左右,纳米ZnO主干平均直径为400~500 nm,发现主干上有一些精细的类似锥状的纳米量级微细枝结构,并且具有良好的场发射性能,开启场强为2.15V/μm,场增强因子为16 109.该图形化生长ZnO阵列阴极的方法是一种能较好改善材料场发射性能的方法,在场发射应用领域表现出较好的前景.
关键词:
图形化
,
氧化锌纳米枝
,
电沉积法
,
场发射
龚文莉
,
万丽娟
,
张健
功能材料与器件学报
doi:10.3969/j.issn.1007-4252.2009.06.012
本文主要研究了在常态(常温、常压等)条件下,利用金属催化化学腐蚀方法在硅片表面上大面积制备排列整齐、取向一致的硅纳米线阵列.同时,出于对后续制作硅纳米线传感器考虑,利用微电子标准加工工艺,以氮化硅做掩膜,通过选择合适的实验参数,在硅片表面选择性生长纳米线阵列,得到图形化的硅纳米线阵列.
关键词:
硅纳米线
,
选择性生长
,
图形化
冯涛
,
茅东升
,
李炜
,
柳襄怀
,
王曦
,
张福民
,
李琼
,
徐静芳
,
诸玉坤
功能材料与器件学报
doi:10.3969/j.issn.1007-4252.2002.03.018
采用真空磁过滤弧沉积(FAD)的方法制备的类金刚石(DLC)薄膜具有良好的场发射性能.通过离子束技术和微细加工技术可以实现DLC薄膜的图形化并能大大提高薄膜的场发射性能.测试表明,DLC薄膜孔洞阵列具有很好的电子场发射性能,阈值电场达到了2.1V/μm,当场强为14.3V/μm时,电流密度达到了1.23mA/cm2.利用图形化的DLC薄膜作为阴极,设计和制作了矩阵选址单色场发射显示器(FED)样管.
关键词:
类金刚石薄膜
,
图形化
,
场发射显示器
