黄创君
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林璇英
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林揆训
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余楚迎
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姚若河
功能材料
多晶硅薄膜是集晶体硅材料和非晶硅氢合金薄膜优点于一体,在能源科学、信息科学的微电子技术中有广泛应用的一种新型功能材料.本文综述低温(＜600℃)制备高质量多晶硅薄膜技术的研究进展及其应用,着重讨论用等离子体化学气相沉积(PECVD)硅基薄膜固相晶化制备多晶硅技术及其在薄膜硅太阳能电池上的应用.
关键词:
多晶硅
,
固相晶化
,
非晶硅氢合金薄膜
,
薄膜硅太阳能 电池
郑文
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陈永生
,
卢景霄
人工晶体学报
本实验在铝诱导织构的基础上,对以AIT浮法玻璃为衬底沉积非晶硅薄膜固相晶化进行了初步研究.采用拉曼散射、X射线衍射等手段对生成多晶硅薄膜的结构和光学性能进行了表征和分析.研究结果表明:热处理10h,薄膜的晶化率达到80％以上,同时具有良好的(111)择优取向；同平板玻璃衬底对比,AIT玻璃上制备的多晶硅薄膜具有良好的陷光作用.
关键词:
铝诱导织构
,
固相晶化
,
多晶硅薄膜
,
陷光作用
张宇翔
,
王海燕
,
陈永生
,
杨仕娥
,
郜小勇
,
卢景霄
,
冯团辉
,
李瑞
,
郭敏
人工晶体学报
doi:10.3969/j.issn.1000-985X.2005.02.031
用等离子体增强型化学气相沉积先得到非晶硅(a-Si:H)薄膜,再用卤钨灯照射的方法对其进行快速光热退火(RPTA),得到了多晶硅薄膜.然后,进行XRD衍射谱、暗电导率和拉曼光谱等的测量.结果发现,a-Si:H薄膜在RPTA退火中,退火温度在750℃以上,晶化时间需要2min,退火温度在650℃以下,晶化时间则需要2.5h;晶化后,晶粒的优先取向是(111)晶向;退火温度850℃时,得到的晶粒最大,暗电导率也最大;退火温度越高,晶化程度越好;退火时间越长,晶粒尺寸越大;光子激励在RPTA退火中起着重要作用.
关键词:
多晶硅薄膜
,
快速光热退火
,
固相晶化
