甄珍
,
赵北君
,
朱世富
,
何知宇
,
陈宝军
,
黄巍
,
蒲云肖
,
钟义凯
无机材料学报
doi:10.15541/jim20150232
采用 WinTA 100热膨胀仪研究了四方黄铜矿 CdGeAs2晶体在320~620 K 温度范围内的热膨胀行为,探索了CdGeAs2晶体热膨胀各向异性的物理机制。测定晶体a轴和c轴方向的热膨胀系数αa和αc发现,αa>>αc>0,表现出强烈的各向异性热膨胀特性。利用最小二乘法,拟合出CdGeAs2晶体的晶格常数(a, c)与温度(T)的函数关系式,与文献报道值吻合。分别计算出不同温度下的四方畸变因子δ=2–c/a, Cd-As 键长(lCd?As)和 Ge-As 键长(lGe?As)以及相应的热膨胀系数αCd?As和αGe?As。结果表明, a、c、δ、lCd?As、lGe?As和αCd?As均随着温度的升高而增大, c/a和?Ge?As则随着温度的升高而减小。当T=360 K时,αCd?As是αGe?As的6.36倍,是造成CdGeAs2晶体强烈热膨胀各向异性的主要原因。
关键词:
CdGeAs2晶体
,
热膨胀
,
四方畸变
