吕毅军
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高玉琳
,
郑健生
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李志锋
,
蔡炜颖
,
王晓光
功能材料与器件学报
doi:10.3969/j.issn.1007-4252.2000.04.024
测量了室温下三元GaxIn1-xP (x=0.48)和四元(AlxGa1-x)0.51In0.49P (x=0.29)合金背散射配置下的喇曼光谱. 三元GaxIn1-xP的喇曼谱表现为双模形式, 在DALA带上叠加了FLA模, 在有序样品中观察到了类GaP的TO1模和类InP的TO2模, 类GaP的LO1模和类InP的LO2模的分裂, 表示有序度的b/a比从无序样品的0.40变化到有序样品的0.10, 有序样品b/a比的降低是由于TO1模和LO1模分裂的影响所造成的. 四元(AlxGa1-x)0.51In0.49P为三模形式, 观察到了双峰结构的FLA模, 由于Al组分的影响, 类GaP的LO模成了类InP的LO模的肩峰. 所有模式与经验公式吻合得很好.
关键词:
喇曼谱
,
有序化
,
Ⅲ-Ⅴ族半导体
