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可见光面阵CCD响应非均匀性的检测与校正

刘妍妍 , 李国宁 , 张瑜 , 李洪祚

液晶与显示 doi:10.3969/j.issn.1007-2780.2010.05.031

通过分析可见光面阵CCD的响应非均匀性,提出了一种适用于所有面阵CCD的响应非均匀性检测系统.利用该检测系统对全帧型面阵CCD485进行了辐射定标,建立了面阵CCD485数字图像的灰度值和积分球出口处辐照度之间的响应关系,并描绘了响应度曲线.从定标采集得到的数字图像可以看出灰度值有明显的跳跃,响应非均匀性已经超过了5%,在微光拍照时将严重影响成像的质量,所以必须进行校正.根据面阵CCD响应度曲线来选择非均匀性校正算法,考虑到面阵CCD485的响应度为线性,这里采用了两点校正算法,求出面阵CCD各个像元的校正因子(增益和偏置),并存储到校正矩阵中,通过乘积加法运算把各个像元的信号校正成面阵CCD的平均信号值.实验结果表明,两点校正算法使面阵CCD485的响应非均匀性降低到原来的1/10左右,是一种实用有效的校正方法.

关键词: 面阵CCD , 响应度 , 非均匀性校正 , 两点校正算法

光导型GaN/Si探测器的研制

江若琏 , 席冬娟 , 赵作明 , 陈鹏 , 沈波 , 张荣 , 郑有炓

功能材料与器件学报 doi:10.3969/j.issn.1007-4252.2000.03.030

采用MOCVD技术在Si(111)衬底上生长GaN薄膜,以此材料制备成光导型Si基GaN紫外探测器.探测器的光谱响应表明,在紫外波段250-360nm有近于平坦的光电流响应,363nm附近有陡峭的截止边,357nm波长处5V偏压下的响应度高达6.9A/W.响应度与偏压的变化关系表明,4V以前为线性增加,5V后达到饱和.

关键词: Si基GaN , 探测器 , 响应度

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