王鹏
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赵青南
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周祥
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赵修建
稀有金属材料与工程
室温下在玻璃基片上用射频磁控溅射法制备了不同厚度的ZnO:Al(AZO)缓冲层,并在该同质缓冲层上溅射生长了AZO薄膜.用XRD测试了薄膜结构,用四探针法测量了薄膜方块电阻,用紫外-可见光谱仪测试了薄膜透过率,用双光束红外分光光度计测试了薄膜在中红外范围内的红外反射率.并比较并分析了引入同质缓冲层前后薄膜结构与性能的变化.结果表明,与没有缓冲层的样品相比较,适当厚度的同质缓冲层能降低AZO薄膜中的残余应力,使薄膜晶粒尺寸变大,降低AZO薄膜的方块电阻,使薄膜的紫外截止边发生蓝移,增加薄膜的红外反射率,并不明显影响薄膜的可见光透过率.
关键词:
同质缓冲层
,
ZnO:Al薄膜
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射频磁控溅射法
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方块电阻
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玻璃基片
宋淑梅
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宋玉厚
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杨田林
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贾绍辉
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辛艳青
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李延辉
人工晶体学报
采用射频磁控溅射法在玻璃衬底上制备出了具有不同厚度ITO同质缓冲层的ITO薄膜.利用X射线衍射、半导体特性测试仪、紫外-可见光分光光度计等测试了薄膜的特性.结果表明:与单层ITO薄膜相比,具有厚度16nm ITO同质缓冲层的ITO薄膜的电阻率下降了30％,薄膜的电阻率达到2.65×10-4 Ω·cm,可见光范围内的平均透过率为91.5％.
关键词:
ITO
,
同质缓冲层
,
电阻率
,
透过率
