艾明哲
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贾雅婷
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陈忠志
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徐慧中
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彭斌
功能材料
采用射频磁控溅射法用Ta作为缓冲层,在集成电路晶元上制备NiFe薄膜,并研究分析了Ta缓冲层厚度以及Ta缓冲层溅射功率对NiFe磁阻薄膜性能的影响,通过测试结果可以得到,当溅射功率由小变大时,NiFe薄膜的磁阻值也由小变到大.当Ta层的厚度在5nm左右时,NiFe更容易形成(111)织构,这时其磁阻值也最大.利用优化后的工艺,在晶元上制备NiFe薄膜,测试结果显示出开关特性,其开关场分别在398和796A/m左右.
关键词:
各向异性磁阻
,
NiFe薄膜
,
缓冲层
,
磁阻开关
张福恒
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王凌飞
,
黄振
,
吴文彬
低温物理学报
本文使用脉冲激光沉积方法在正交的NdGaO3(001)衬底上外延生长了La0.67Cao.33MnO3薄膜.退火后,由于外延应变引起薄膜正交畸变增强,薄膜在低于250K的整个温度区间都出现了铁磁金属态和反铁磁绝缘态的相分离和相竞争.这两相的竞争强烈依赖于磁场相对晶轴的方向,由此导致存在于很宽温度范围内的低场各向异性磁阻效应.
关键词:
锰氧化物
,
各向异性磁阻
,
脉冲激光沉积
