郭高凤
,
李恩
,
张其劭
,
李宏福
航空材料学报
doi:10.3969/j.issn.1005-5053.2003.z1.045
采用TE015模高Q圆柱腔对X波段低损耗介质材料的复介电常数进行了变温测试,电场的极化方向平行于样品表面.可测温度范围为常温到200℃.在所有温度点上,空腔的无载品质因数均大于40000.复介电常数的测试范围为εr:1.05～10,tanδ:3×10-2～5×10-5,测试系统的最可几误差为|Δεr / εr|=1.5% ,|Δtanδ|=10% tanδ+3.0×10-5.
关键词:
低损耗介质
,
复介电常数
,
变温
,
圆柱腔
,
微波测量
孟秋敏
,
欧阳峥嵘
,
李洪强
,
石磊
低温物理学报
以Cernox-1070温度传感器为研究对象,研究了其在磁场强度0-16 T和4.2-300K温区下的磁致电阻效应.实验结果表明：CX-1070温度传感器受磁场的影响较小,在16T、4.2-300K的磁效应值为-0.19-2.38%,产生的最大测量误差为0.11K;15-50K温区为磁效应最低的温度区间,在50-300K温区4T下产生的磁效应最高;在16T、4.2K处,CX-1070与Rhodium-Iron的磁效应相差20倍,CX-1070在125-300K受磁场的影响比Rho-dium-Iron大.
关键词:
Cernox-1070温度传感器
,
强磁场
,
变温
,
磁致电阻效应
孟秋敏
,
石磊
,
欧阳峥嵘
,
李洪强
低温物理学报
以Pt电阻温度传感器（Pt-111）为研究对象，研究了其在0-16T磁场下、4．2-300K温区内的磁致电阻效应．结果表明：Pt-111在0～16T场强、4．2-77K温区内，磁效应随场强的增加和温度的降低而明显升高，77～300K温区内温度计受磁场的影响较小，其中在16T下，4．2K和300K处的磁效应分别为48．2％和1．07％；在4．2—77K温区，Pt-111由磁阻引起的测量误差场强的升高和温度的降低而明显升高，在16T、4．2K处和16T、77K处的温度测量误差分别为18．3K和1．69K．Pt-111不推荐应用在77K以下的磁场环境．
关键词:
Pt电阻温度传感器
,
强磁场
,
变温
,
磁致电阻效应
