宁晓阳
,
杭凌侠
,
郭峰
,
潘永强
表面技术
doi:10.3969/j.issn.1001-3660.2011.06.017
探讨了单源混蒸技术制备SiO2/TiO2变折射率薄膜的可行性,分别蒸发SiO2和TiO2质量比为1:1和1:2的混料,研究分析了薄膜折射率的变化情况,并将其与双源共蒸的方法进行了比较.实验中发现,两种材料蒸发方式的差异是影响SiO2/TiO2变折射率薄膜制备的主要因素,尚未发现混料中SiO2和TiO2的质量比与SiO2/TiO2薄膜折射率的对应关联.
关键词:
SiO2/TiO2薄膜
,
单源混蒸
,
电子束蒸发
,
变折射率
