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一种MoSi2发热元件的组成和结构分析

冯培忠 , 王晓虹 , 缪姚军

硅酸盐通报 doi:10.3969/j.issn.1001-1625.2007.05.020

采用X射线衍射、扫描电镜和能谱分析技术研究了国外某MoSi2发热元件的组成和结构.结果表明:该MoSi2发热元件的主要组成为MoSi2、Mo5Si3以及以Al2O3和SiO2为主的玻璃相;黑色相和亮色相均匀分布在灰色基体中,亮色相主要伴随黑色相形成;断口以解理穿晶特征为主.MoSi2发热元件表面有一层20μm厚的以SiO2和Al2O3为主的玻璃保护膜,在保护膜表面有大量针状凸起生成.保护膜外表面形貌以及发热元件中黑色相和保护膜表面针状凸起中Al含量的增加是该MoSi2发热元件区别国内外其它MoSi2发热元件的主要特征.

关键词: 二硅化钼 , 发热元件 , 组成 , 结构

MoSi2发热元件在不同气氛中使用损毁分析

刘新红 , 宋煜伟 , 杨金松 , 朱晓燕 , 马腾

耐火材料 doi:10.3969/j.issn.1001-1935.2014.05.002

对分别在空气气氛中使用100炉和在氮气气氛中使用5炉后(每炉均设定为1500℃保温3 h)的国产MoSi2发热元件进行了XRD、SEM和EDS分析,并探讨了其损毁机制。结果表明:1)国产MoSi2发热元件未变层气孔较多,腐蚀性气体易通过气孔与MoSi2反应造成损毁,少量的杂质相也可加速损毁;2)MoSi2发热元件在空气气氛中损毁的原因在于SiO2玻璃相以SiO气体挥发致使电阻不均,局部过热;3)氮气气氛中不能形成保护性玻璃膜,N2和少量CO与MoSi2反应生成Mo5 Si3、Mo3 Si、Mo、Mo2 C和Si3 N4,使其变质损毁。

关键词: MoSi2 , 发热元件 , 硅钼棒 , 空气气氛 , 氮气气氛 , 损毁机制

国内二硅化钼发热元件的生产工艺及研究现状

郜剑英 , 江莞

耐火材料

简要介绍了国内二硅化钼发热元件的生产工艺及其研究现状,指出影响发热元件品质的关键因素是原料纯度和粒度、混料工艺以及烧结工艺.认为国内相关生产企业存在的普遍问题是对原料质量没有严格控制,混料工艺落后和烧结工艺不合适,并在此基础上提出了国内二硅化钼行业存在的缺乏深入研究工艺细节、规范生产工艺和升级生产设备等亟待解决的问题.

关键词: 二硅化钼 , 发热元件 , 生产工艺 , 研究现状

MoSi2发热元件表面保护膜的形貌与结构

王晓虹 , 任耀剑 , 冯培忠

机械工程材料 doi:10.3969/j.issn.1000-3738.2008.01.018

采用SEM和EDS技术研究了国外某MoSi2发热元件表面保护膜的成分和微观组织.结果表明:在MoSi2发热元件外表面存在一层光滑致密的厚度超过10μm的玻璃保护膜,膜和基体之间界面清晰,结合紧密,该膜是一种以SiO2为主,含有少量铝、钠、镁和钙氧化物的复合成分的玻璃保护膜;在最外层玻璃保护膜和基体之间存在1~2μm厚的Mo5Si3过渡层;复合成分玻璃保护膜和Mo5Si3过渡层的出现有利于调整保护膜和基体之间热膨胀系数的差异,提高保护膜和基体结合的稳定性,有利于发热元件的高温使用.

关键词: 二硅化钼 , 发热元件 , 保护膜 , 组织

国内二硅化钼发热元件的生产工艺及研究现状

郜剑英 , 江莞

耐火材料

简要介绍了国内二硅化钼发热元件的生产工艺及其研究现状,指出影响发热元件品质的关键因素是原料纯度和粒度、混料工艺以及烧结工艺.认为国内相关生产企业存在的普遍问题是对原料质量没有严格控制,混料工艺落后和烧结工艺不合适,并在此基础上提出了国内二硅化钼行业存在的缺乏深入研究工艺细节、规范生产工艺和升级生产设备等亟待解决的问题.

关键词: 二硅化钼 , 发热元件 , 生产工艺 , 研究现状

国内二硅化钼发热元件的生产工艺及研究现状

郜剑英 , 江莞

耐火材料

简要介绍了国内二硅化钼发热元件的生产工艺及其研究现状,指出影响发热元件品质的关键因素是原料纯度和粒度、混料工艺以及烧结工艺.认为国内相关生产企业存在的普遍问题是对原料质量没有严格控制,混料工艺落后和烧结工艺不合适,并在此基础上提出了国内二硅化钼行业存在的缺乏深入研究工艺细节、规范生产工艺和升级生产设备等亟待解决的问题.

关键词: 二硅化钼 , 发热元件 , 生产工艺 , 研究现状

WSi2/MoSi2复合发热元件的制备及组织性能

艾云龙 , 程玉桂 , 杨延清 , 康沫狂 , 刘长虹

稀有金属材料与工程

利用W,Mo,Si粉末燃烧合成复合发热元件原料,制备WSi2/MoSi2复合发热元件.通过显微结构和力学性能、物理性能的测试分析表明:复合发热元件显微组织细小、分布较均匀,结晶相主要是以固溶形式的(WxMoy)Si2以及少量(WxMoy)5Si3相存在(其中x+u=l),玻璃相是以SiO2和Al2O3为主,并含有少量的Na,Mg,K,Ca等金属氧化物;断口晶粒细小,主要表现为沿晶断裂,抗弯强度和显微硬度较高;复合发热元件电阻率与MoSi2发热元件相近,没有老化现象;烧损温度高于MoSi2发热元件80℃,热膨胀系数低于MoSi2发热元件,热稳定性较好;复合发热元件表面膜是一种复合硅氧膜,成膜质量较好.

关键词: WSi2/MoSi2 , 发热元件 , 制备 , 组织与性能

二硅化钼材料的研究现状及应用前景

江莞 , 赵世柯 , 王刚

无机材料学报 doi:10.3321/j.issn:1000-324X.2001.04.001

二硅化钼作为一种重要的高温发热材料和结构材料,一直受到材料科学家的广泛重视.本文对二硅化钼及其复合材料国内外的研究现状进行了全面介绍,对近年来的研究方向进行了归纳和总结,包括高温变形、氧化机理和复合强化等方面.指出了国内这些方面的研究与国际水平相比存在的差距和不足,并分析了原因.最后,对二硅化钼及其复合材料的应用市场前景进行了分析和展望.

关键词: 二硅化钼 , 发热元件 , 复合材料 , 力学性能 , 高温结构应用 , 抗氧化性

Kanthal MoSi2 发热元件的组织结构和性能

冯培忠 , 王晓虹 , 杜学丽 , 曲选辉

耐火材料 doi:10.3969/j.issn.1001-1935.2006.02.012

采用XRD、SEM和EDS等分析了Kanthal MoSi2发热元件的微观组织结构和性能.结果表明:其主要组成为MoSi2、铝硅酸盐玻璃相和Mo5Si3;断裂以沿晶断裂为主,并具有一定的解理特征;基体晶粒大小约为9 μm,在基体晶粒之间分布着大小不等、呈岛状的黑色物相.MoSi2发热元件表面有一层20 μm厚,以SiO2为主,包含少量Al、Ca、Mg、Fe、Na和K的氧化物的玻璃保护膜,保护膜比较均匀平整,和基体之间界面清晰,二者结合紧密,因此具有比较高的物理和力学性能.

关键词: 二硅化钼 , 发热元件 , 组织结构

碳化硅发热元件失效分析

吕振林 , 李世斌 , 高积强 , 金志浩 , 李贺军

机械工程材料 doi:10.3969/j.issn.1000-3738.2002.06.012

对国产炉用碳化硅发热元件在1 600℃空气中的高温失效行为进行了研究.结果表明:在900℃以下随温度升高,碳化硅发热元件电阻缓慢减小,超过900℃后随温度升高电阻增加较快;1 600℃时随保温时间的增加,碳化硅发热元件的电阻缓慢增加,250min后,电阻急剧增加,直至发热元件断裂.失效表面分析表明,碳化硅发热元件表面以生成气相产物为主,断口处以生成玻璃相为主.

关键词: 碳化硅 , 发热元件 , 失效分析

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